- RS Best.-Nr.:
- 236-3567
- Herst. Teile-Nr.:
- SSM3J328R,LF(T
- Marke:
- Toshiba
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- SSM3J328R,LF(T
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- Toshiba
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Der Toshiba Feldeffekttransistor besteht aus Siliziummaterial und hat P-Kanal-MOS-Typ. Er wird hauptsächlich in Stromüberwachungsschaltanwendungen eingesetzt.
Lagertemperaturbereich: -55 bis 150 °C.
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
---|---|
Channel-Typ | P |
Dauer-Drainstrom max. | 6 A |
Drain-Source-Spannung max. | 20 V |
Gehäusegröße | SOT-23 |
Montage-Typ | SMD |
Pinanzahl | 3 |
Drain-Source-Widerstand max. | 8,84e+007 Ω |
Gate-Schwellenspannung max. | 1V |
Transistor-Werkstoff | Silicon |
Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |