Toshiba Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 40 V / 2 A 2 W, 3-Pin SOT-23
- RS Best.-Nr.:
- 236-3576
- Herst. Teile-Nr.:
- SSM3K339R,LF(T
- Marke:
- Toshiba
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
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- 236-3576
- Herst. Teile-Nr.:
- SSM3K339R,LF(T
- Marke:
- Toshiba
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Toshiba | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 2A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 40V | |
| Gehäusegröße | SOT-23 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 220mΩ | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | -0.85V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 1.1nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 2W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 12 V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Länge | 2.4mm | |
| Breite | 2.9 mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Höhe | 0.8mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Toshiba | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 2A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 40V | ||
Gehäusegröße SOT-23 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 220mΩ | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf -0.85V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 1.1nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 2W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 12 V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Länge 2.4mm | ||
Breite 2.9 mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Höhe 0.8mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der Toshiba Feldeffekttransistor besteht aus Siliziummaterial und hat einen N-Kanal-MOS-Typ. Er wird hauptsächlich in Stromüberwachungsschaltanwendungen eingesetzt.
Lagertemperaturbereich: -55 bis 150 °C.
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