Infineon CoolMOS N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET 700 V / 22 A 114 W, 3-Pin TO-220

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Herst. Teile-Nr.:
IPP65R110CFD7XKSA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

22A

Drain-Source-Spannung Vds max.

700V

Gehäusegröße

TO-220

Serie

CoolMOS

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

110mΩ

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

1V

Maximale Verlustleistung Pd

114W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

41nC

Gate-Source-spannung max Vgs

20V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

No

Länge

10.36mm

Höhe

9.45mm

Breite

4.57mm

Automobilstandard

Nein

Der Infineon CoolMOS Super Junction MOSFET mit integrierter, schneller Gehäusediode ist die perfekte Wahl für resonante Hochleistungs-Topologien. Er ist ideal für industrielle Anwendungen wie Server-, Telekommunikations-, Solar- und EV-Ladestationen, Dies ermöglicht erhebliche Effizienzverbesserungen im Vergleich zur Konkurrenz. Er hat einen Abflussstrom von 22 A.

Ausgezeichnete Robustheit bei harter Kommutierung

Zusätzliche Sicherheitsmarge für Designs mit erhöhter Busspannung

Ermöglicht eine erhöhte Leistungsdichte

Hervorragende Lichtlasteffizienz in industriellen SMPS-Anwendungen

Verbesserte Volllast-Effizienz in industriellen SMPS-Anwendungen

Preiswettbewerbsfähigkeit im Vergleich zu alternativen Angeboten auf dem Markt

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