Vishay EF N-Kanal, Durchsteckmontage Leistungs-MOSFET 800 V / 20 A 208 W, 3-Pin JEDEC TO-220AB

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

Mengenrabatt verfügbar
Mengenpreis-Optionen anzeigen

Zwischensumme (20 Stück, geliefert in Stange)*

CHF 85.86

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • Zusätzlich 30 Einheit(en) mit Versand ab 30. September 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.

Stück
Pro Stück
20 - 48CHF 4.293
50 - 98CHF 3.878
100 - 198CHF 3.656
200 +CHF 3.434

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
239-5383P
Herst. Teile-Nr.:
SIHP24N80AEF-GE3
Marke:
Vishay
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Vishay

Kabelkanaltyp

N

Produkt Typ

Leistungs-MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

20A

Drain-Source-Spannung Vds max.

800V

Gehäusegröße

JEDEC TO-220AB

Serie

EF

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.195Ω

Maximale Verlustleistung Pd

208W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

90nC

Durchlassspannung Vf

1.2V

Gate-Source-spannung max Vgs

30V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Automobilstandard

Nein

Leistungs-MOSFET der EF-Serie von Vishay, 800 V Drain-Source-Spannung, 20 A kontinuierlicher Drain-Strom – SIHP24N80AEF-GE3


Dieser Leistungs-MOSFET ist ein Hochspannungs-N-Kanal-Schaltgerät, das für die Durchsteck-Leistungselektronik entwickelt wurde. Er ist für den Einsatz in Umgebungen vorgesehen, die ein robustes Schalten bei hohen Spannungen und Strömen erfordern, und bietet eine kontrollierte Leitfähigkeit und ein schnelles Schaltverhalten für Industrie- und Wandleranwendungen bei Betrieb in einem sehr breiten Temperaturbereich.

Merkmale und Vorteile:


• 800 V Drain-Source-Nennleistung ermöglicht Hochspannungsschaltung
• 20 A kontinuierlicher Ablassstrom unterstützt die Handhabung schwerer Lasten
• Niedrige Rds(on) von 0.195 Ω reduziert Leitungsverluste
• Die Verlustleistung von 208 W ermöglicht einen Betrieb mit hoher Leistung
• Die typische Gate-Ladung von 90 nC sorgt für eine vorhersehbare Schaltdynamik
• Gate-Source von maximal 30 V schützt die Gate-Integrität

Anwendungen


• Geeignet für Hochspannungs-DC/DC-Wandlerstufen
• Ideal für primäre Schaltfunktionen der Stromversorgung
• Wird mit Front-End-Schaltkreisen für Motorantriebe verwendet
• Kann zum Schalten von industriellen Wechselrichtern verwendet werden
• Geeignet für Labor-Hochspannungsprüfgeräte

Welches Gehäuse und welche Befestigungsmethode wird verwendet?


Er wird in einem TO-220AB-Gehäuse geliefert und ist für die Durchsteckmontage vorgesehen, um eine einfache Kühlkörper- und Chassisbefestigung zu ermöglichen.

Welchem Temperaturbereich kann er in anspruchsvollen Umgebungen standhalten?


Das Gerät ist für den Betrieb von -55 °C bis 150 °C ausgelegt und eignet sich für weite Umgebungs- und erhöhte Anschlusstemperaturen.

Wie wirkt sich die Durchlassspannung auf die Schaltleistung aus?


Die typische Durchlassspannung von 1,2 V zeigt das Leitungsgeschwindigkeitsverhalten während der Körper-Diode-Leitung an und beeinflusst die Verlustberechnungen bei Rückwärts-Erholungs- und Freilaufereignissen.

Ist dieses Gerät für Kfz-Standard-Designs geeignet?


Es ist nicht für die Erfüllung von Automobilstandards ausgelegt und sollte nicht davon ausgegangen werden, dass es den spezifischen Anforderungen der Automobilindustrie entspricht.

Verwandte Links

Exklusiv für Sie unsere neuesten Produkte und Angebote

E-Mail-Anschrift

Die personenbezogenen Daten, die Sie uns bei Anmeldung zur Verfügung stellen, werden gemäss der Datenschutzerklärung verarbeitet.