Microchip VP2206 Typ P-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 650 V / 10.3 A 140 W, 3-Pin TO-92

RS Best.-Nr.:: 239-5620
Herst. Teile-Nr.:: VP2206N3-G
Marke:: Microchip

Microchip VP2206 Typ P-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 650 V / 10.3 A 140 W, 3-Pin TO-92

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

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RS Best.-Nr.:: 239-5620
Herst. Teile-Nr.:: VP2206N3-G
Marke:: Microchip

Technische Daten

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Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Microchip
	Kabelkanaltyp	Typ P
	Produkt Typ	MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	10.3A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	650V
	Gehäusegröße	TO-92
	Serie	VP2206
	Montageart	Durchsteckmontage
	Pinanzahl	3
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	8Ω
	Channel-Modus	Erweiterung
	Maximale Verlustleistung Pd	140W
	Gate-Source-spannung max Vgs	30 V
	Durchlassspannung Vf	1.8V
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Maximale Betriebstemperatur	150°C
	Normen/Zulassungen	No
	Automobilstandard	Nein

	Alle auswählen
	Marke Microchip
	Kabelkanaltyp Typ P
	Produkt Typ MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 10.3A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 650V
	Gehäusegröße TO-92
	Serie VP2206
	Montageart Durchsteckmontage
	Pinanzahl 3
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 8Ω
	Channel-Modus Erweiterung
	Maximale Verlustleistung Pd 140W
	Gate-Source-spannung max Vgs 30 V
	Durchlassspannung Vf 1.8V
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Maximale Betriebstemperatur 150°C
	Normen/Zulassungen No
	Automobilstandard Nein

Datasheet - VP2206N3-G

Die Microchip VP2206-Serie sind Anreicherungstransistoren (normalerweise aus), die eine vertikale DMOS-Struktur und den bewährten Silizium-Gate-Fertigungsprozess von Supertex verwenden. Durch diese Kombination wird ein Gerät mit der Strombelastbarkeitsfähigkeiten von bipolaren Transistoren mit der hohen Eingangsimpedanz und dem positiven Temperaturkoeffizienten von MOS-Geräten erzielt. Charakteristisch für alle MOS-Strukturen ist, dass dieses Bauelement frei von unkontrollierbaren thermischen Situationen und thermisch induzierten Sekundärdurchbrüchen ist. Diese vertikalen DMOS FETs sind ideal für eine Vielzahl von Schalt- und Verstärkeranwendungen geeignet, bei denen sehr niedrige Schwellenspannung, hohe Durchschlagsspannung, hohe Eingangsimpedanz, niedrige Eingangskapazität und schnelle Schaltgeschwindigkeiten erwünscht sind.

Er hat einen frei von sekundärer Panne

Er benötigt einen Antrieb mit geringer Leistungsaufnahme

Es bietet eine einfache Parallelschaltung, niedrige CISS und schnelle Schaltgeschwindigkeiten

Er verfügt über eine hohe Eingangsimpedanz und eine hohe Verstärkung mit ausgezeichneter Temperaturstabilität

Er verfügt über eine integrierte Source-to-Drain-Diode

Microchip VP2206 Typ P-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 650 V / 10.3 A 140 W, 3-Pin TO-92

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