Microchip VP2206 Typ P-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung -60 V / -640 mA 0.74 W, 3-Pin TO-92
- RS Best.-Nr.:
- 239-5621P
- Herst. Teile-Nr.:
- VP2206N3-G
- Marke:
- Microchip
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|---|---|
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- RS Best.-Nr.:
- 239-5621P
- Herst. Teile-Nr.:
- VP2206N3-G
- Marke:
- Microchip
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Microchip | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ P | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | -640mA | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | -60V | |
| Gehäusegröße | TO-92 | |
| Serie | VP2206 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.9Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 1.8V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 0.74W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 30V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Microchip | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ P | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id -640mA | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. -60V | ||
Gehäusegröße TO-92 | ||
Serie VP2206 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.9Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 1.8V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 0.74W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 30V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
Die Microchip VP2206-Serie sind Anreicherungstransistoren (normalerweise aus), die eine vertikale DMOS-Struktur und den bewährten Silizium-Gate-Fertigungsprozess von Supertex verwenden. Durch diese Kombination wird ein Gerät mit der Strombelastbarkeitsfähigkeiten von bipolaren Transistoren mit der hohen Eingangsimpedanz und dem positiven Temperaturkoeffizienten von MOS-Geräten erzielt. Charakteristisch für alle MOS-Strukturen ist, dass dieses Bauelement frei von unkontrollierbaren thermischen Situationen und thermisch induzierten Sekundärdurchbrüchen ist. Diese vertikalen DMOS FETs sind ideal für eine Vielzahl von Schalt- und Verstärkeranwendungen geeignet, bei denen sehr niedrige Schwellenspannung, hohe Durchschlagsspannung, hohe Eingangsimpedanz, niedrige Eingangskapazität und schnelle Schaltgeschwindigkeiten erwünscht sind.
Er hat einen frei von sekundärer Panne
Er benötigt einen Antrieb mit geringer Leistungsaufnahme
Es bietet eine einfache Parallelschaltung, niedrige CISS und schnelle Schaltgeschwindigkeiten
Er verfügt über eine hohe Eingangsimpedanz und eine hohe Verstärkung mit ausgezeichneter Temperaturstabilität
Er verfügt über eine integrierte Source-to-Drain-Diode
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