Microchip VP2206 Typ P-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 650 V / 10.3 A 140 W, 3-Pin TO-92
- RS Best.-Nr.:
- 239-5621P
- Herst. Teile-Nr.:
- VP2206N3-G
- Marke:
- Microchip
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme 50 Stück (geliefert in Schale)*
CHF.102.90
Auf Lager
- 395 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück |
|---|---|
| 50 - 95 | CHF.2.058 |
| 100 - 245 | CHF.1.859 |
| 250 - 495 | CHF.1.827 |
| 500 + | CHF.1.785 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 239-5621P
- Herst. Teile-Nr.:
- VP2206N3-G
- Marke:
- Microchip
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Microchip | |
| Kabelkanaltyp | Typ P | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 10.3A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 650V | |
| Serie | VP2206 | |
| Gehäusegröße | TO-92 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 8Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Durchlassspannung Vf | 1.8V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 30 V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 140W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Microchip | ||
Kabelkanaltyp Typ P | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 10.3A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 650V | ||
Serie VP2206 | ||
Gehäusegröße TO-92 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 8Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Durchlassspannung Vf 1.8V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 30 V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 140W | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
Die Microchip VP2206-Serie sind Anreicherungstransistoren (normalerweise aus), die eine vertikale DMOS-Struktur und den bewährten Silizium-Gate-Fertigungsprozess von Supertex verwenden. Durch diese Kombination wird ein Gerät mit der Strombelastbarkeitsfähigkeiten von bipolaren Transistoren mit der hohen Eingangsimpedanz und dem positiven Temperaturkoeffizienten von MOS-Geräten erzielt. Charakteristisch für alle MOS-Strukturen ist, dass dieses Bauelement frei von unkontrollierbaren thermischen Situationen und thermisch induzierten Sekundärdurchbrüchen ist. Diese vertikalen DMOS FETs sind ideal für eine Vielzahl von Schalt- und Verstärkeranwendungen geeignet, bei denen sehr niedrige Schwellenspannung, hohe Durchschlagsspannung, hohe Eingangsimpedanz, niedrige Eingangskapazität und schnelle Schaltgeschwindigkeiten erwünscht sind.
Er hat einen frei von sekundärer Panne
Er benötigt einen Antrieb mit geringer Leistungsaufnahme
Es bietet eine einfache Parallelschaltung, niedrige CISS und schnelle Schaltgeschwindigkeiten
Er verfügt über eine hohe Eingangsimpedanz und eine hohe Verstärkung mit ausgezeichneter Temperaturstabilität
Er verfügt über eine integrierte Source-to-Drain-Diode