STMicroelectronics STD Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 650 V / 55 A 70 W, 3-Pin TO-252
- RS Best.-Nr.:
- 239-6330P
- Herst. Teile-Nr.:
- STD86N3LH5
- Marke:
- STMicroelectronics
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
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|---|---|
| 10 - 95 | CHF.1.535 |
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- RS Best.-Nr.:
- 239-6330P
- Herst. Teile-Nr.:
- STD86N3LH5
- Marke:
- STMicroelectronics
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 55A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 650V | |
| Serie | STD | |
| Gehäusegröße | TO-252 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 45mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 70W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 14nC | |
| Durchlassspannung Vf | 1.5V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | UL | |
| Länge | 6.6mm | |
| Höhe | 2.4mm | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 55A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 650V | ||
Serie STD | ||
Gehäusegröße TO-252 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 45mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 70W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 14nC | ||
Durchlassspannung Vf 1.5V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen UL | ||
Länge 6.6mm | ||
Höhe 2.4mm | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Der STMicroelectronics MOSFET ist ein N-Kanal-Leistungs-MOSFET, der mit STMicroelectronics' STripFET H5-Technologie entwickelt wurde. Dieses Gerät wurde optimiert, um einen sehr niedrigen Betriebswiderstand zu erreichen.
RDSon mit geringem Widerstand im eingeschalteten Zustand
Hohe Lawinenbeständigkeit
Geringe Verlustleistung des Gate-Antriebs
30 V Vdss
80 A ID