Vishay E Typ N-Kanal, Oberfläche Leistungs-MOSFET Entleerung 650 V / 48 A 278 W, 8-Pin PowerPAK 10 x 12

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Herst. Teile-Nr.:
SIHK045N60E-T1-GE3
Marke:
Vishay
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Marke

Vishay

Produkt Typ

Leistungs-MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

48A

Drain-Source-Spannung Vds max.

650V

Gehäusegröße

PowerPAK 10 x 12

Serie

E

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.043Ω

Channel-Modus

Entleerung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

98nC

Gate-Source-spannung max Vgs

30V

Durchlassspannung Vf

1.2V

Maximale Verlustleistung Pd

278W

Maximale Betriebstemperatur

+150°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Automobilstandard

AEC-Q101

Leistungs-MOSFET der Serie E von Vishay, 650 V Drain-Source-Spannung, 48 A kontinuierlicher Drain-Strom – SIHK045N60E-T1-GE3


Dieser Leistungs-MOSFET ist ein Hochspannungs-N-Kanal-Halbleitergerät, das für Schalt- und Leistungsmanagement in anspruchsvollen elektrischen Systemen entwickelt wurde. Er funktioniert über einen breiten Temperaturbereich und ist für oberflächenmontierte Baugruppen vorgesehen, bei denen Zuverlässigkeit auf Automobilniveau und hohe Dauerstrombelastbarkeit erforderlich sind.

Merkmale und Vorteile:


• 650 V Ablassspannung ermöglicht Hochspannungsschaltanwendungen • 48 A kontinuierlicher Ablassstrom zur Unterstützung hoher Stromlasten • 0,043 Ω Rds(on) reduziert Leitungsverluste unter Last • 98 nC typische Gate-Ladung ermöglicht vorhersehbare Antriebsanforderungen • Maximale Verlustleistung von 278 W für erhebliche thermische Handhabung • AEC-Q101-Qualifizierung, die den Anforderungen der Stressüberwachung im Automobilbereich gerecht wird

Anwendungen


• Geeignet für Traktionsumrichter und Motorsteuerungsstufen in Fahrzeugen • Ideal für Hochspannungs-Leistungswandler in der industriellen Automatisierung • Wird für die DC/DC-Umwandlung in elektrischen Hochleistungssystemen verwendet • Kann für Schaltnetzteile in anspruchsvollen Umgebungen verwendet werden

Welche Gate-Antriebsaspekte sollte ich zulassen?


Gate-Treiber so ausgelegt, dass sie etwa die typische 98-nC-Ladung bei den gewählten Vgs liefern, um sicherzustellen, dass die Schaltgeschwindigkeit mit dem System-Timing übereinstimmt und gleichzeitig die Schaltverluste begrenzt werden.

Wie sollte das Wärmemanagement auf Leiterplattenbaugruppen behandelt werden?


Verwenden Sie das PowerPAK 10x12-Oberflächengehäuse zur Wärmeableitung und zur Bereitstellung einer ausreichenden Kupferfläche und -durchführung, um bis zu 278 W unter definierten Kühlbedingungen abzuleiten.

Welche Spannungsbereiche sind für die Sicherheitskonstruktion geeignet?


Wählen Sie Systembetriebsspannungen deutlich unter der maximalen Drain-Source-Nennleistung von 650 V aus und begrenzen Sie Gate-Exkursionen innerhalb der Gate-Source-Einschränkung von ±30 V.

Gibt es Einschränkungen bei der Umgebungstemperatur für den Betrieb?


Das Gerät funktioniert von -55 °C bis +150 °C Sperrschichttemperatur, sodass die Systemkühlung und -abstufung Hochtemperatur-Betriebspunkte berücksichtigen müssen.

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