Vishay E N-Kanal, Oberfläche Leistungs-MOSFET Entleerung 650 V / 48 A 278 W, 8-Pin PowerPAK 10 x 12
- RS Best.-Nr.:
- 239-8634P
- Herst. Teile-Nr.:
- SIHK045N60E-T1-GE3
- Marke:
- Vishay
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- RS Best.-Nr.:
- 239-8634P
- Herst. Teile-Nr.:
- SIHK045N60E-T1-GE3
- Marke:
- Vishay
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Produkt Typ | Leistungs-MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 48A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 650V | |
| Serie | E | |
| Gehäusegröße | PowerPAK 10 x 12 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.043Ω | |
| Channel-Modus | Entleerung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 98nC | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 30V | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 278W | |
| Maximale Betriebstemperatur | +150°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Produkt Typ Leistungs-MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 48A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 650V | ||
Serie E | ||
Gehäusegröße PowerPAK 10 x 12 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.043Ω | ||
Channel-Modus Entleerung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 98nC | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 30V | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 278W | ||
Maximale Betriebstemperatur +150°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Leistungs-MOSFET der Serie E von Vishay, 650 V maximale Drain-Source-Spannung, 48 A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom – SIHK045N60E-T1-GE3
Merkmale und Vorteile:
• 48 A kontinuierlicher Ablassstrom für die Handhabung schwerer Lasten
• Niedriger Einschaltwiderstand von 0,043 Ω zur Reduzierung von Leitungsverlusten
• 278 W Verlustleistung für verbesserte thermische Belastbarkeit
• 98 nC typische Gate-Ladung für vorhersehbares Schaltverhalten
• Gate-Toleranz von 30 V ermöglicht eine robuste Antriebsmarge
Anwendungen
• Ideal für Kraftfahrzeug-Leistungsmanagement und Motorantriebsschaltkreise
• Wird mit DC/DC-Wandlern in industriellen Geräten verwendet
• Kann für Wechselrichterstufen in erneuerbaren Energiesystemen verwendet werden
• Geeignet für kompakte oberflächenmontierte Leistungsmodule
