Vishay Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Entleerung 30 V / 410 A 255 W, 4-Pin PowerPAK SO-8L

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

Alle MOSFET anzeigen
Derzeit nicht erhältlich
Wir wissen nicht, ob wir diesen Artikel noch einmal auf Lager haben werden. RS beabsichtigt, ihn bald aus dem Sortiment zu nehmen.
RS Best.-Nr.:
239-8670
Herst. Teile-Nr.:
SQJ186EP-T1_GE3
Marke:
Vishay
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Vishay

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

410A

Drain-Source-Spannung Vds max.

30V

Gehäusegröße

PowerPAK SO-8L

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

4

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.02Ω

Channel-Modus

Entleerung

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Verlustleistung Pd

255W

Durchlassspannung Vf

1.1V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

43nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

125°C

Normen/Zulassungen

No

Länge

6.15mm

Breite

4.9 mm

Automobilstandard

AEC-Q101

Der Vishay SIDR ist ein Kfz-N-Kanal-MOSFET, der bei 80 V und 175 °C arbeitet. Dieser MOSFET wird für hohe Leistungsdichte verwendet.

AEC-Q101-qualifiziert

UIS-geprüft

Verwandte Links