Nexperia Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 30 V / 10.3 A 12.5 W, 4-Pin LFPAK56E
- RS Best.-Nr.:
- 240-1975
- Herst. Teile-Nr.:
- PSMN2R0-55YLHX
- Marke:
- Nexperia
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Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 2 - 48 | CHF.4.424 | CHF.8.84 |
| 50 - 98 | CHF.3.979 | CHF.7.95 |
| 100 - 248 | CHF.3.252 | CHF.6.50 |
| 250 - 498 | CHF.3.192 | CHF.6.38 |
| 500 + | CHF.2.788 | CHF.5.57 |
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- RS Best.-Nr.:
- 240-1975
- Herst. Teile-Nr.:
- PSMN2R0-55YLHX
- Marke:
- Nexperia
Technische Daten
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Nexperia | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 10.3A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 30V | |
| Gehäusegröße | LFPAK56E | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 4 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 13.6mΩ | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 12.5W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Nexperia | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 10.3A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 30V | ||
Gehäusegröße LFPAK56E | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 4 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 13.6mΩ | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 12.5W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der N-Kanal-Anreicherungs-MOSFET von Nexperia ist im LFPAK56E-Gehäuse untergebracht. Der ASFET ist besonders geeignet für 36-V-Batterie-betriebene Anwendungen, die eine starke Lawinenfähigkeit, lineare Modusleistung, den Einsatz bei hohen Schaltfrequenzen und auch einen sicheren Betrieb erfordern
Zugelassen bis 175 °C
Für Lawinen ausgelegt, 100 % geprüft
Niedrige QG, QGD und QOSS für hohen Wirkungsgrad, besonders bei höheren Schaltfrequenzen
Superschnelles Schalten mit weicher Gehäuse-Dioden-Wiederherstellung für geringes Spiking und Klingeln, empfohlen für Designs mit niedriger EMI
Einzigartige "SchottkyPlus"-Technologie für Schottky-Schaltleistung und geringe IDSS-Leckage
Schmale VGS(th)-Nennleistung für einfache Parallelschaltung und verbesserte Stromaufteilung
Sehr starke lineare/sichere Betriebsbereichseigenschaften für sicheres und zuverlässiges Schalten bei hohen Strombedingungen
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