Nexperia Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 30 V / 10.3 A 12.5 W, 4-Pin LFPAK56E
- RS Best.-Nr.:
- 240-1977
- Herst. Teile-Nr.:
- PSMN4R8-100YSEX
- Marke:
- Nexperia
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Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 2 - 48 | CHF 3.192 | CHF 6.39 |
| 50 - 98 | CHF 2.727 | CHF 5.46 |
| 100 - 248 | CHF 2.202 | CHF 4.41 |
| 250 - 498 | CHF 2.161 | CHF 4.31 |
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- RS Best.-Nr.:
- 240-1977
- Herst. Teile-Nr.:
- PSMN4R8-100YSEX
- Marke:
- Nexperia
Technische Daten
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Nexperia | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 10.3A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 30V | |
| Gehäusegröße | LFPAK56E | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 4 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 13.6mΩ | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 12.5W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Nexperia | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 10.3A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 30V | ||
Gehäusegröße LFPAK56E | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 4 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 13.6mΩ | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 12.5W | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der Nexperia N-Kanal-Anreicherungs-MOSFET befindet sich in einem LFPAK56E-Gehäuse.
Vollständig optimierter sicherer Betriebsbereich (SOA) für überlegenen linearen Betrieb
Niedriger RDSon für niedrige I2R-Leitungsverluste
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