Nexperia Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 42 A 12.5 W, 8-Pin MLPAK33
- RS Best.-Nr.:
- 240-1981
- Herst. Teile-Nr.:
- PXN012-60QLJ
- Marke:
- Nexperia
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Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 25 - 25 | CHF.0.242 | CHF.5.93 |
| 50 - 75 | CHF.0.231 | CHF.5.83 |
| 100 - 225 | CHF.0.179 | CHF.4.46 |
| 250 - 975 | CHF.0.179 | CHF.4.36 |
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- RS Best.-Nr.:
- 240-1981
- Herst. Teile-Nr.:
- PXN012-60QLJ
- Marke:
- Nexperia
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Nexperia | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 42A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 60V | |
| Gehäusegröße | MLPAK33 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 13.6mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 12.5W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Nexperia | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 42A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 60V | ||
Gehäusegröße MLPAK33 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 13.6mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 12.5W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der Nexperia Universal-MOSFET hat einen Nennstrom von 42 A. Der Leistungs-MOSFET für den N-Kanal-Anreichermodus mit Logikpegel befindet sich im MLPAK33-Gehäuse.
Logikpegel-Kompatibilität
Trench-MOSFET-Technologie
Thermisch effizientes Gehäuse in einem kleinen Formfaktor (Abmessungen: 3,3 mm x 3,3 mm)
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