Nexperia Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 11.4 A 12.5 W, 8-Pin MLPAK33
- RS Best.-Nr.:
- 240-1999
- Herst. Teile-Nr.:
- PXN8R3-30QLJ
- Marke:
- Nexperia
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Packung mit 25 Stück)*
CHF.8.40
Bestandsabfrage aktuell nicht möglich
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 25 - 25 | CHF.0.336 | CHF.8.53 |
| 50 - 75 | CHF.0.336 | CHF.8.38 |
| 100 - 225 | CHF.0.252 | CHF.6.35 |
| 250 - 975 | CHF.0.252 | CHF.6.22 |
| 1000 + | CHF.0.189 | CHF.4.62 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 240-1999
- Herst. Teile-Nr.:
- PXN8R3-30QLJ
- Marke:
- Nexperia
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Nexperia | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 11.4A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 30V | |
| Gehäusegröße | MLPAK33 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 13.6mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 12.5W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Nexperia | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 11.4A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 30V | ||
Gehäusegröße MLPAK33 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 13.6mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 12.5W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der Nexperia N-Kanal-Verbesserungsmodus-Feldeffekttransistor (FET) in einem MLPAK33 (SOT8002) SMD-Kunststoffgehäuse mit Trench MOSFET-Technologie.
Kompatibel mit Logik-Ebene
Trench-MOSFET-Technologie
Extrem niedrige QG und QGD für hohe Systemeffizienz, insbesondere bei höheren Schaltfrequenzen
Superschnelles Schalten mit weicher Erholung
Geringes Spiking und Klingeln für geringe elektromagnetische Störungen
MLPAK33-Gehäuse (3,3 x 3,3 mm Abmessung)
Verwandte Links
- Nexperia Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 11.4 A 12.5 W, 8-Pin MLPAK33
- Nexperia Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 11.4 A 12.5 W, 8-Pin PXN9R0-30QLJ MLPAK33
- Nexperia Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 14 A 12.5 W, 8-Pin PXN5R4-30QLJ MLPAK33
- Nexperia Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 12.7 A 12.5 W, 8-Pin PXN6R7-30QLJ MLPAK33
- Nexperia Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 10.3 A 12.5 W, 8-Pin PXN010-30QLJ MLPAK33
- Nexperia Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 7.5 A 12.5 W, 8-Pin PXN018-30QLJ MLPAK33
- Nexperia Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 15 A 12.5 W, 8-Pin PXN4R7-30QLJ MLPAK33
- Nexperia Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 7.9 A 12.5 W, 8-Pin PXN017-30QLJ MLPAK33