Infineon ISK Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 25 V / 55 A 171 W, 6-Pin PQFN
- RS Best.-Nr.:
- 240-6377
- Herst. Teile-Nr.:
- ISK024NE2LM5
- Marke:
- Infineon
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- 240-6377
- Herst. Teile-Nr.:
- ISK024NE2LM5
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 55A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 25V | |
| Gehäusegröße | PQFN | |
| Serie | ISK | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 6 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 2.4mΩ | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 30 V | |
| Durchlassspannung Vf | 0.81V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 171W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 80nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 55A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 25V | ||
Gehäusegröße PQFN | ||
Serie ISK | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 6 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 2.4mΩ | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 30 V | ||
Durchlassspannung Vf 0.81V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 171W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 80nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Der Infineon OptiMOSTM 5-Leistungs-MOSFET mit 25 V, 2,4 mΩ, kleinster Formfaktor im PQFN 2x2-Gehäuse. Mit der neuen BIC OptiMOSTM 5-in-25-V- und 30-V-Produktfamilie bietet Infineon eine erstklassige Lösung für Effizienz in einem kleinen Formfaktor und ist damit die perfekte Lösung für Anwendungen wie drahtloses Laden, Lastschalter und DC-DC-Anwendungen mit geringer Leistungsaufnahme. Das kleine 4-mm2-PQFN-2x2-Gehäuse in Kombination mit hervorragender elektrischer Leistung trägt zur Verbesserung des Formfaktors in Endanwendungen bei, da es einen niedrigen RDSon von 2,4 mΩ bietet.
Überlegener Wärmewiderstand für ein PQFN 2x2-Gehäuse
Optimiert für höchste Leistung und Leistungsdichte
Der branchenweit niedrigste RDSon im kleinsten PQFN 2x2-Gehäuse
2x2-Gehäuse N-Kanal
100 % Avalanche geprüft
Pb-freie Bleibeschichtung; RoHS-konform
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