Infineon ISK Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 25 V / 55 A 171 W, 6-Pin PQFN
- RS Best.-Nr.:
- 240-6379P
- Herst. Teile-Nr.:
- ISK036N03LM5
- Marke:
- Infineon
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
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- RS Best.-Nr.:
- 240-6379P
- Herst. Teile-Nr.:
- ISK036N03LM5
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 55A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 25V | |
| Serie | ISK | |
| Gehäusegröße | PQFN | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 6 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 2.4mΩ | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 80nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 171W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 30V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 0.81V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 55A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 25V | ||
Serie ISK | ||
Gehäusegröße PQFN | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 6 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 2.4mΩ | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 80nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 171W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 30V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 0.81V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Der Infineon OptiMOSTM 5 Leistungs-MOSFET mit 30 V, 3,6 mΩ, kleinster Formfaktor im PQFN 2x2-Gehäuse. Mit der neuen BIC OptiMOSTM 5-in-25-V- und 30-V-Produktfamilie bietet Infineon eine erstklassige Lösung für Effizienz in einem kleinen Formfaktor und ist damit die perfekte Lösung für Anwendungen wie drahtloses Laden, Lastschalter und DC-DC-Anwendungen mit geringer Leistungsaufnahme. Das kleine 4-mm2-PQFN-2x2-Gehäuse in Kombination mit hervorragender elektrischer Leistung trägt zur Verbesserung des Formfaktors in Endanwendungen bei, da es einen niedrigen RDSon von 3,6 mΩ bietet.
Optimiert für höchste Leistung und Leistungsdichte
100 % Avalanchegeprüft
Überlegener Wärmewiderstand für 2x2-Gehäuse
N-Kanal
Pb-freie Bleibeschichtung
RoHS-konform
Halogenfrei gemäß IEC61249-2-21