- RS Best.-Nr.:
- 241-9256
- Herst. Teile-Nr.:
- MSC035SMA070B4
- Marke:
- Microchip
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Die Siliziumkarbid-Leistungs-MOSFET-Produktlinie von Micro semi erhöht die Leistung gegenüber Silizium-MOSFETs und Silizium-IGBT-Lösungen bei gleichzeitiger Senkung der Gesamtkosten für Hochspannungsanwendungen.
Niedrige Kapazitäten und geringe Gate-Ladung.
Schnelle Schaltgeschwindigkeit durch niedrigen internen Gate-Widerstand.
Stabiler Betrieb bei hoher Sperrtemperatur TJ(max.) von 175 °C.
Schnelle und zuverlässige Gehäusediode
Überlegene Avalanche-Robustheit,
RoHS-konform
Schnelle Schaltgeschwindigkeit durch niedrigen internen Gate-Widerstand.
Stabiler Betrieb bei hoher Sperrtemperatur TJ(max.) von 175 °C.
Schnelle und zuverlässige Gehäusediode
Überlegene Avalanche-Robustheit,
RoHS-konform
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
---|---|
Channel-Typ | N |
Dauer-Drainstrom max. | 54 A |
Drain-Source-Spannung max. | 700 V |
Gehäusegröße | TO-247-4 |
Montage-Typ | THT |
Pinanzahl | 4 |
Transistor-Werkstoff | SiC |
Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |