Microchip MSC080SMA120B4 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET 12 V / 140 A 1.6 W, 4-Pin TO-247
- RS Best.-Nr.:
- 241-9269
- Herst. Teile-Nr.:
- MSC080SMA120B4
- Marke:
- Microchip
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Stück)*
CHF.8.516
Vorübergehend ausverkauft
- Versand ab 20. April 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück |
|---|---|
| 1 - 4 | CHF.8.52 |
| 5 - 9 | CHF.8.34 |
| 10 - 99 | CHF.8.17 |
| 100 + | CHF.7.82 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 241-9269
- Herst. Teile-Nr.:
- MSC080SMA120B4
- Marke:
- Microchip
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Microchip | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 140A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 12V | |
| Gehäusegröße | TO-247 | |
| Serie | MSC080SMA120B4 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 4 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 8Ω | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 1.6W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 64nC | |
| Durchlassspannung Vf | 1.8V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 2 V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Microchip | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 140A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 12V | ||
Gehäusegröße TO-247 | ||
Serie MSC080SMA120B4 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 4 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 8Ω | ||
Maximale Verlustleistung Pd 1.6W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 64nC | ||
Durchlassspannung Vf 1.8V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 2 V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
Die Siliziumkarbid-Leistungs-MOSFET-Produktlinie von Micro semi erhöht die Leistung gegenüber Silizium-MOSFETs und Silizium-IGBT-Lösungen bei gleichzeitiger Senkung der Gesamtkosten für Hochspannungsanwendungen.
Niedrige Kapazitäten und geringe Gate-Ladung
Schnelle Schaltgeschwindigkeit durch niedrigen internen Gate-Widerstand
Stabiler Betrieb bei hoher Sperrtemperatur TJ(max.) von 175 °C
chnell und zuverlässige Gehäusediode
Überlegene Avalanche-Robustheit,
RoHS-konform
Verwandte Links
- Microchip MSC080SMA120B4 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET 12 V / 140 A 1.6 W, 4-Pin TO-247
- Microchip MSC025SMA120B Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET 12 V / 140 A 1.6 W TO-247
- Microchip MSC35SMA170B Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET 12 V / 140 A 1.6 W TO-247
- Microchip MSC040SMA120B4 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET 12 V / 140 A 1.6 W, 4-Pin TO-247
- Microchip MSC035SMA070B4 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET 12 V / 140 A 1.6 W, 4-Pin TO-247
- Microchip MSC060SMA070B4 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET 12 V / 140 A 1.6 W, 4-Pin TO-247
- Microchip MSC015SMA070B4 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET 12 V / 140 A 1.6 W, 4-Pin TO-247
- Microchip MSC035SMA170B4 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET 12 V / 140 A 1.6 W, 4-Pin TO-247