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Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Microchip
	Kabelkanaltyp	Typ N
	Produkt Typ	MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	26A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	1200V
	Gehäusegröße	TO-247
	Serie	MSC080SMA120B
	Montageart	Durchsteckmontage
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	8Ω
	Maximale Verlustleistung Pd	1.6W
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	64nC
	Durchlassspannung Vf	1.8V
	Gate-Source-spannung max Vgs	2 V
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Maximale Betriebstemperatur	175°C
	Normen/Zulassungen	RoHS
	Automobilstandard	Nein

	Alle auswählen
	Marke Microchip
	Kabelkanaltyp Typ N
	Produkt Typ MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 26A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 1200V
	Gehäusegröße TO-247
	Serie MSC080SMA120B
	Montageart Durchsteckmontage
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 8Ω
	Maximale Verlustleistung Pd 1.6W
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 64nC
	Durchlassspannung Vf 1.8V
	Gate-Source-spannung max Vgs 2 V
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Maximale Betriebstemperatur 175°C
	Normen/Zulassungen RoHS
	Automobilstandard Nein

Datasheet - MSC080SMA120B

Die Siliziumkarbid-Leistungs-MOSFET-Produktlinie von Micro semi erhöht die Leistung gegenüber Silizium-MOSFETs und Silizium-IGBT-Lösungen bei gleichzeitiger Senkung der Gesamtkosten für Hochspannungsanwendungen.

Niedrige Kapazitäten und geringe Gate-Ladung

Schnelle Schaltgeschwindigkeit durch niedrigen internen Gate-Widerstand

Stabiler Betrieb bei hoher Sperrtemperatur TJ(max.) von 175 °C

chnell und zuverlässige Gehäusediode

Überlegene Avalanche-Robustheit,

RoHS-konform

Microchip MSC080SMA120B Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET 1200 V / 26 A 1.6 W MSC080SMA120B TO-247