Infineon BSC Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 40 V / 381 A 81 W, 8-Pin SuperSO8 5 x 6

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RS Best.-Nr.:
241-9672
Herst. Teile-Nr.:
BSC0501NSIATMA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

381A

Drain-Source-Spannung Vds max.

40V

Gehäusegröße

SuperSO8 5 x 6

Serie

BSC

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.7mΩ

Channel-Modus

N

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Verlustleistung Pd

81W

Durchlassspannung Vf

1V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

80nC

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Automobilstandard

Nein

Der Infineon OptiMOS™ 5 N-Kanal-Leistungs-MOSFET hat 30 V Ablassquellenspannung (VDS) und 130 A Ablassstrom (ID). Er bietet Referenzlösungen, indem er die höchste Leistungsdichte und Energieeffizienz sowohl im Standby- als auch im vollen Betrieb ermöglicht. Er verfügt über den besten Widerstand im eingeschalteten Zustand und hat einen breiten Einsatz in Desktop- und Serveranwendungen, Spannungsreglern mit hoher Leistungsdichte usw.

Optimiert für Hochleistungs-Abwärtswandler,

monolithisch integrierte Schottky-ähnliche Diode,

sehr niedriger Widerstand im eingeschalteten Zustand RDS(on) @ VGS = 4,5 V,

100 % Avalanche geprüft,

N-Kanal,

qualifiziert gemäß JEDEC1) für Zielanwendungen,

bleifreie Kabelbeschichtung,

RoHS-konform,

halogenfrei gemäß IEC61249-2-21

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