Infineon BSC Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 40 V / 381 A 81 W, 8-Pin SuperSO8 5 x 6
- RS Best.-Nr.:
- 241-9677P
- Herst. Teile-Nr.:
- BSC146N10LS5ATMA1
- Marke:
- Infineon
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
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- RS Best.-Nr.:
- 241-9677P
- Herst. Teile-Nr.:
- BSC146N10LS5ATMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 381A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 40V | |
| Serie | BSC | |
| Gehäusegröße | SuperSO8 5 x 6 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.7mΩ | |
| Channel-Modus | N | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 81W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 80nC | |
| Durchlassspannung Vf | 1V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 381A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 40V | ||
Serie BSC | ||
Gehäusegröße SuperSO8 5 x 6 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.7mΩ | ||
Channel-Modus N | ||
Maximale Verlustleistung Pd 81W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 80nC | ||
Durchlassspannung Vf 1V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der Infineon OptiMOS™ 5 N-Kanal-Leistungs-MOSFET mit Logikpegel hat 100 V Ablassquellenspannung (VDS) und 44 A Ablassstrom (ID). Die Leistungs-MOSFETs auf Logikebene eignen sich hervorragend für Lade-, Adapter- und Telekommunikationsanwendungen. Die niedrige Gate-Ladung des Geräts reduziert Schaltverluste ohne Kompromisse bei Leitungsverlusten. MOSFETs mit Logikpegel ermöglichen den Betrieb bei hohen Schaltfrequenzen und können aufgrund einer niedrigen Gate-Schwellenwertspannung direkt von Mikrocontrollern gesteuert werden.
Optimiert für Hochleistungs-SMPS, z. B. synchrone Gleichrichtung,
100 % Avalanche geprüft,
hervorragende Wärmebeständigkeit,
N-Kanal, Logikpegel,
bleifreie Kabelbeschichtung,
RoHS-konform,
halogenfrei gemäß IEC61249-2-21