Infineon IPG20N06S4L-14A Typ N-Kanal 2 MOSFET 60 V Erweiterung / 20 A 50 W, 8-Pin SuperSO8 5 x 6
- RS Best.-Nr.:
- 241-9688
- Herst. Teile-Nr.:
- IPG20N06S4L14AATMA1
- Marke:
- Infineon
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Mengenpreis-Optionen anzeigenZwischensumme (1 Packung mit 5 Stück)*
CHF.8.435
Auf Lager
- 14'995 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | CHF.1.687 | CHF.8.42 |
| 50 - 120 | CHF.1.454 | CHF.7.26 |
| 125 - 245 | CHF.1.364 | CHF.6.83 |
| 250 - 495 | CHF.1.263 | CHF.6.32 |
| 500 + | CHF.1.182 | CHF.5.90 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 241-9688
- Herst. Teile-Nr.:
- IPG20N06S4L14AATMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 20A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 60V | |
| Serie | IPG20N06S4L-14A | |
| Gehäusegröße | SuperSO8 5 x 6 | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 13.7mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 50W | |
| Durchlassspannung Vf | 1.3V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 39nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS Compliant | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 2 | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 20A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 60V | ||
Serie IPG20N06S4L-14A | ||
Gehäusegröße SuperSO8 5 x 6 | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 13.7mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 50W | ||
Durchlassspannung Vf 1.3V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 39nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS Compliant | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 2 | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Der Infineon OptiMOS™ T2 Kfz-N-Kanal-MOSFET hat 60 V Ablassquellenspannung (VDS) und 20 A Ablassstrom (ID). Er wird in einem Zweifach-SS08-Gehäuse (PG-TDSON-8) geliefert. Er ist für die automatische optische Inspektion (AOI) durchführbar.
Zweifach-N-Kanal-Logikpegel – Verbesserungsmodus,
AEC Q101-qualifiziert,
MSL1 bis zu 260 °C Spitzenreflow,
175 °C Betriebstemperatur,
Green Product (RoHS-konform),
100 % Avalanche geprüft,
für automatische optische Inspektion (AOI) durchführbar
Verwandte Links
- Infineon IPG20N06S4L-14A Typ N-Kanal 2 MOSFET 60 V Erweiterung / 20 A 50 W, 8-Pin SuperSO8 5 x 6
- Infineon Dualer N-Kanal Logikpegel Anreicherungsmodus IPG20N06S4L-11 Typ N-Kanal MOSFET 60 V / 20 A 65 W TDSON
- Infineon IAUC Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 20 V / 60 A 81 W, 8-Pin SuperSO8 5 x 6
- Infineon Halbbrücke OptiMOS-TM6 Typ N-Kanal Leistungs-MOSFET 40 V Erweiterung / 60 A 75 W, 8-Pin SuperSO8 5 x 6
- Infineon BSC Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 44 A 52 W, 8-Pin SuperSO8 5 x 6
- Infineon IAUC Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 24 A 81 W, 8-Pin SuperSO8 5 x 6
- Infineon IAUZ Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 120 A 81 W, 8-Pin SuperSO8 5 x 6
- Infineon IAUC Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 100 A 81 W, 8-Pin SuperSO8 5 x 6