Infineon BSZ Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 40 V / 212 A 81 W, 8-Pin PQFN
- RS Best.-Nr.:
- 241-9697
- Herst. Teile-Nr.:
- BSZ018NE2LSATMA1
- Marke:
- Infineon
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
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|---|---|---|
| 2 - 8 | CHF.1.081 | CHF.2.16 |
| 10 - 18 | CHF.1.02 | CHF.2.04 |
| 20 - 48 | CHF.0.929 | CHF.1.86 |
| 50 - 98 | CHF.0.828 | CHF.1.65 |
| 100 + | CHF.0.788 | CHF.1.58 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 241-9697
- Herst. Teile-Nr.:
- BSZ018NE2LSATMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 212A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 40V | |
| Gehäusegröße | PQFN | |
| Serie | BSZ | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.7mΩ | |
| Channel-Modus | N | |
| Durchlassspannung Vf | 1V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 81W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 80nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 212A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 40V | ||
Gehäusegröße PQFN | ||
Serie BSZ | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.7mΩ | ||
Channel-Modus N | ||
Durchlassspannung Vf 1V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 81W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 80nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der Infineon OptiMOS-Leistungs-MOSFET ist ein N-Kanal-MOSFET mit bleifreier Kabelbeschichtung. Er ist für Hochleistungs-Abwärtswandler optimiert.
Sehr niedriger Widerstand im eingeschalteten Zustand,
qualifiziert gemäß JEDEC für Zielanwendungen
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