Infineon BSZ N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 40 V / 212 A 81 W, 8-Pin PQFN
- RS Best.-Nr.:
- 241-9698
- Herst. Teile-Nr.:
- BSZ018NE2LSIATMA1
- Marke:
- Infineon
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- RS Best.-Nr.:
- 241-9698
- Herst. Teile-Nr.:
- BSZ018NE2LSIATMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 212A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 40V | |
| Gehäusegröße | PQFN | |
| Serie | BSZ | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.7mΩ | |
| Channel-Modus | N | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 81W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 80nC | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Durchlassspannung Vf | 1V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 212A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 40V | ||
Gehäusegröße PQFN | ||
Serie BSZ | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.7mΩ | ||
Channel-Modus N | ||
Maximale Verlustleistung Pd 81W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 80nC | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Durchlassspannung Vf 1V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der Infineon OptiMOS-Leistungs-MOSFET ist ein N-Kanal-MOSFET, der für Hochleistungs-Abwärtswandler optimiert ist. Er wurde zu 100 % Avalanche geprüft.
Monolithisch integrierte Schottky-ähnliche Diode,
halogenfrei gemäß IEC61249-2-21
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