Infineon IPC Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 40 V / 100 A 81 W, 8-Pin SuperSO8 5 x 6

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241-9707
Herst. Teile-Nr.:
IPC100N04S5L1R5ATMA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

100A

Drain-Source-Spannung Vds max.

40V

Gehäusegröße

SuperSO8 5 x 6

Serie

IPC

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.7mΩ

Channel-Modus

N

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

80nC

Durchlassspannung Vf

1.2V

Maximale Verlustleistung Pd

81W

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Automobilstandard

AEC-Q101

Der Infineon OptiMOS-Leistungstransistor ist ein N-Kanal-Leistungs-MOSFET für Kfz-Anwendungen. Er wurde zu 100 % Avalanche geprüft.

N-Kanal - Verbesserungsmodus - Logikpegel,

AEC Q101-qualifiziert

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