Infineon BSC0 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 40 V / 381 A 81 W, 8-Pin TDSON-8 FL
- RS Best.-Nr.:
- 241-9873
- Herst. Teile-Nr.:
- BSC019N06NSATMA1
- Marke:
- Infineon
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Packung mit 2 Stück)*
CHF.3.528
Auf Lager
- Zusätzlich 3’658 Einheit(en) mit Versand ab 20. Februar 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | CHF.1.764 | CHF.3.53 |
| 20 - 48 | CHF.1.481 | CHF.2.96 |
| 50 - 98 | CHF.1.386 | CHF.2.78 |
| 100 - 198 | CHF.1.281 | CHF.2.57 |
| 200 + | CHF.1.197 | CHF.2.39 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 241-9873
- Herst. Teile-Nr.:
- BSC019N06NSATMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 381A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 40V | |
| Gehäusegröße | TDSON-8 FL | |
| Serie | BSC0 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.7mΩ | |
| Channel-Modus | N | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 1V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 80nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 81W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 381A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 40V | ||
Gehäusegröße TDSON-8 FL | ||
Serie BSC0 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.7mΩ | ||
Channel-Modus N | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 1V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 80nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 81W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der OptiMOS-Leistungstransistor von Infineon ist ein N-Kanal-MOSFET, der für synchrone Gleichrichtung optimiert ist. Es wurde zu 100 % Avalanche geprüft.
Höhere Lötverbindungszuverlässigkeit durch erweiterte Quellenverbindung.
Qualifiziert gemäß JEDEC für Zielanwendungen.
Halogenfrei gemäß IEC61249-2-21
Verwandte Links
- Infineon BSC0 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 40 V / 381 A 81 W, 8-Pin TDSON-8 FL
- Infineon BSC0 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 40 V / 381 A 81 W, 8-Pin TDSON
- Infineon BSC0 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 40 V / 381 A 1.6 W, 8-Pin TDSON
- Infineon BSC0 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 40 V / 381 A 81 W, 8-Pin SuperSO8 5 x 6
- Infineon BSC0 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 30 V / 381 A 81 W, 8-Pin SuperSO8 5 x 6
- Infineon BSC Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 40 V / 381 A 81 W, 8-Pin TDSON
- Infineon BSC0 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 40 V / 381 A 81 W, 8-Pin SuperSO8 5 x 6
- Infineon BSC0 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 100 V / 381 A 81 W, 8-Pin SuperSO8 5 x 6 DSC