Infineon IPA Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 40 V / 192 A 81 W, 3-Pin TO-263
- RS Best.-Nr.:
- 242-0990
- Herst. Teile-Nr.:
- IRF100S201
- Marke:
- Infineon
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|---|---|---|
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- RS Best.-Nr.:
- 242-0990
- Herst. Teile-Nr.:
- IRF100S201
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 192A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 40V | |
| Serie | IPA | |
| Gehäusegröße | TO-263 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 2.9mΩ | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 81W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 80nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 192A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 40V | ||
Serie IPA | ||
Gehäusegröße TO-263 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 2.9mΩ | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 81W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 80nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Der Einfach-N-Kanal-Leistungs-MOSFET von Infineon hat einen maximalen Ablassstrom von 192 A. Die Betriebstemperatur des Leistungs-MOSFETs beträgt -55 °C bis 175 °C. Es ist ideal für Niedrigfrequenzanwendungen, die Leistung und Robustheit erfordern.
Optimiert für größtmögliche Verfügbarkeit von Vertriebspartnern
Produktqualifizierung gemäß JEDEC-Standard
Gehäuse für Oberflächenmontage nach Industriestandard
Hoher Nennstrom
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