Nexperia, Durchsteckmontage MOSFET 30 V / 10.3 A 81 W TO-247

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

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RS Best.-Nr.:
243-4619
Herst. Teile-Nr.:
GAN041-650WSBQ
Marke:
Nexperia
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Marke

Nexperia

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

10.3A

Drain-Source-Spannung Vds max.

30V

Gehäusegröße

TO-247

Montageart

Durchsteckmontage

Drain-Source-Widerstand Rds max.

13.6mΩ

Gate-Source-spannung max Vgs

20V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

81W

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Galliumnitrid (GaN) FET von Nexperia in einem TO-247-Gehäuse ist ein selbstsperrendes Bauteil, das die neueste Hochspannungs-GaN-HEMT-H2-Technologie von Nexperia und die Niederspannungs-Silizium-MOSFET-Technologien kombiniert, die überlegene Zuverlässigkeit und Leistung bieten.

Extrem niedrige umgekehrte Erholungsladung

Einfacher Gate-Antrieb (0 V bis +10 V oder 12 V)

Robustes Gate-Oxid (±20 V Kapazität)

Hohe Gate-Schwellenspannung (+4 V) für sehr gute Gate-Bounce-Immunität

Sehr niedrige Source-Drain-Spannung im umgekehrten

Leitungsmodus

Hart- und weichschaltende Konverter für Industrie- und Datenkommunikationsleistung

Bridgeless totempole PFC

PV- und USV-Wechselrichter

Servomotorische Antriebe

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