Nexperia N-Kanal, Oberfläche MOSFET 30 V / 10.3 A 81 W, 3-Pin SOT-23
- RS Best.-Nr.:
- 243-4864P
- Herst. Teile-Nr.:
- PMV50XNEAR
- Marke:
- Nexperia
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
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Stück | Pro Stück |
|---|---|
| 50 - 75 | CHF 0.283 |
| 100 - 225 | CHF 0.182 |
| 250 - 975 | CHF 0.172 |
| 1000 + | CHF 0.162 |
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- RS Best.-Nr.:
- 243-4864P
- Herst. Teile-Nr.:
- PMV50XNEAR
- Marke:
- Nexperia
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Nexperia | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 10.3A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 30V | |
| Gehäusegröße | SOT-23 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 13.6mΩ | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 81W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Nexperia | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 10.3A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 30V | ||
Gehäusegröße SOT-23 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 13.6mΩ | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 81W | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der N-Kanal-Verbesserungsmodus-Feld-Effekt-Transistor (FET) von Nexperia in einem kleinen SOT23-SMD-Kunststoffgehäuse mit Trench-MOSFET-Technologie.
Niedrige Schwellenspannung
Erweiterter Temperaturbereich Tj = 175 °C
Trench MOSFET-Technologie
Sehr schnelles Schalten
DC/DC-Umwandlung
Hochgeschwindigkeits-Leitungstreiber
Low-Side-Lastschalter
Schaltkreise