Nexperia Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 12 V / 30.6 A 81 W, 8-Pin MLPAK33
- RS Best.-Nr.:
- 243-4888P
- Herst. Teile-Nr.:
- PXP3R7-12QUJ
- Marke:
- Nexperia
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
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- RS Best.-Nr.:
- 243-4888P
- Herst. Teile-Nr.:
- PXP3R7-12QUJ
- Marke:
- Nexperia
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Nexperia | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ P | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 30.6A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 12V | |
| Gehäusegröße | MLPAK33 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 13.6mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 81W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Nexperia | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ P | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 30.6A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 12V | ||
Gehäusegröße MLPAK33 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 13.6mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 81W | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der P-Kanal-Verbesserungsmodus-Feld-Effekt-Transistor (FET) von Nexperia in einem MLPAK33 (SOT8002) SMD-Kunststoffgehäuse mit Trench-MOSFET-Technologie.
Niedrige Schwellenspannung
Trench-MOSFET-Technologie
High-Side-Lastschalter
Batteriemanagement
DC/DC-Umwandlung
Schaltkreise