Nexperia Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 22.2 A 81 W, 8-Pin MLPAK33
- RS Best.-Nr.:
- 243-4889
- Herst. Teile-Nr.:
- PXP6R1-30QLJ
- Marke:
- Nexperia
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Zwischensumme (1 Rolle mit 3000 Stück)*
CHF.2’205.00
Vorübergehend ausverkauft
- Versand ab 27. Juli 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Rolle* |
|---|---|---|
| 3000 + | CHF.0.735 | CHF.2’217.60 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 243-4889
- Herst. Teile-Nr.:
- PXP6R1-30QLJ
- Marke:
- Nexperia
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Nexperia | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ P | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 22.2A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 30V | |
| Gehäusegröße | MLPAK33 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 13.6mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 81W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Nexperia | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ P | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 22.2A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 30V | ||
Gehäusegröße MLPAK33 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 13.6mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 81W | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der P-Kanal-Verbesserungsmodus-Feld-Effekt-Transistor (FET) von Nexperia in einem MLPAK33 (SOT8002) SMD-Kunststoffgehäuse mit Trench-MOSFET-Technologie.
Niedrige Schwellenspannung
Trench-MOSFET-Technologie
High-Side-Lastschalter
Batteriemanagement
DC/DC-Umwandlung
Schaltkreise
Verwandte Links
- Nexperia Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 22.2 A 81 W, 8-Pin PXP6R1-30QLJ MLPAK33
- Nexperia Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 10.3 A 81 W, 8-Pin MLPAK33
- Nexperia Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 17.7 A 81 W, 8-Pin MLPAK33
- Nexperia Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 10.3 A 81 W, 8-Pin PXP013-30QLJ MLPAK33
- Nexperia Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 17.7 A 81 W, 8-Pin PXP9R1-30QLJ MLPAK33
- Nexperia Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 20 V / 13.7 A 81 W, 8-Pin MLPAK33
- Nexperia Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 20 V / 12.1 A 81 W, 8-Pin MLPAK33
- Nexperia Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 12 V / 30.6 A 81 W, 8-Pin MLPAK33