Infineon IPC N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 40 V / 100 A 81 W, 8-Pin SuperSO8 5 x 6
- RS Best.-Nr.:
- 243-9319P
- Herst. Teile-Nr.:
- IPC50N04S5L5R5ATMA1
- Marke:
- Infineon
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Mengenpreis-Optionen anzeigenZwischensumme 50 Stück (auf Gurtabschnitt geliefert)*
CHF 51.00
Auf Lager
- 9'815 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück |
|---|---|
| 50 - 120 | CHF 1.02 |
| 125 - 245 | CHF 0.96 |
| 250 - 495 | CHF 0.889 |
| 500 + | CHF 0.818 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 243-9319P
- Herst. Teile-Nr.:
- IPC50N04S5L5R5ATMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 100A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 40V | |
| Serie | IPC | |
| Gehäusegröße | SuperSO8 5 x 6 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 1.4mΩ | |
| Channel-Modus | N | |
| Durchlassspannung Vf | 1.1V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 80nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 81W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 100A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 40V | ||
Serie IPC | ||
Gehäusegröße SuperSO8 5 x 6 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 1.4mΩ | ||
Channel-Modus N | ||
Durchlassspannung Vf 1.1V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 80nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 81W | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
MOSFET der Serie IPC von Infineon, 40 V maximale Drain-Source-Spannung, 100 A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom – IPC50N04S5L5R5ATMA1
Dieser MOSFET ist ein Hochstrom-N-Kanal-Transistor, der für die Oberflächenmontage in anspruchsvollen Umgebungen entwickelt wurde. Er liefert einen erheblichen kontinuierlichen Ablassstrom und arbeitet in einem breiten Temperaturbereich und entspricht den Anforderungen an Umwelt- und Automobilmaterialien.
Merkmale und Vorteile:
• 100 A kontinuierlicher Ablassstrom ermöglichen das Schalten bei hoher Last
• 1,4 mΩ Rds(on) minimieren Leitungsverluste
• 40 V Drain-Source-Nennleistung unterstützt Niederspannungs-Stromversorgungsschienen
• Die Verlustleistung von 81 W ermöglicht eine dauerhafte thermische Belastung
• 80 nC typische Gate-Ladung erleichtert Gate-Drive-Anforderungen
• Die maximale Gate-Source-Nennspannung von 20 V gewährleistet die Gate-Spannungsspanne
• 1,4 mΩ Rds(on) minimieren Leitungsverluste
• 40 V Drain-Source-Nennleistung unterstützt Niederspannungs-Stromversorgungsschienen
• Die Verlustleistung von 81 W ermöglicht eine dauerhafte thermische Belastung
• 80 nC typische Gate-Ladung erleichtert Gate-Drive-Anforderungen
• Die maximale Gate-Source-Nennspannung von 20 V gewährleistet die Gate-Spannungsspanne
Anwendungsbereich
• Geeignet für Kraftfahrzeug-Stromverteilungsmodule
• Ideal für Hochstrom-DC/DC-Wandlerstufen
• Wird für Elektromotorantriebs-Halbbrückenbeine verwendet
• Kann für synchrone Gleichrichtung in Stromversorgungen verwendet werden
• Geeignet für oberflächenmontierte Stromüberwachungsbaugruppen
• Ideal für Hochstrom-DC/DC-Wandlerstufen
• Wird für Elektromotorantriebs-Halbbrückenbeine verwendet
• Kann für synchrone Gleichrichtung in Stromversorgungen verwendet werden
• Geeignet für oberflächenmontierte Stromüberwachungsbaugruppen
Welchem Temperaturbereich kann er standhalten?
Es arbeitet von -55 °C bis 175 °C für Umgebungen mit großen Temperaturschwankungen.
Wie viele Stifte und welches Gehäuse wird verwendet?
Er wird in einem 8-poligen SuperSO8-Gehäuse der Größe 5 x 6 mm für die Oberflächenmontage geliefert.
Entspricht er den Normen für Umweltmaterialien?
Er erfüllt die RoHS-Anforderungen für eingeschränkte Stoffe.
Welche Überlegungen bezüglich des Gate-Antriebs ergeben sich aus seinen elektrischen Eigenschaften?
Die typische Gate-Ladung beträgt 80 nC und der maximale VGS beträgt 20 V, sodass Gate-Treiber ausreichend geladen werden müssen und den Grenzwert von 20 V einhalten.