Infineon IPZ Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 40 V / 40 A 81 W, 8-Pin SuperSO8 5 x 6

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Herst. Teile-Nr.:
ISZ065N03L5SATMA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

40A

Drain-Source-Spannung Vds max.

40V

Gehäusegröße

SuperSO8 5 x 6

Serie

IPZ

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

1.4mΩ

Maximale Verlustleistung Pd

81W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Durchlassspannung Vf

1.1V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

80nC

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Automobilstandard

AEC-Q101

Der Infineon MOSFET ist für Hochleistungs-Abwärtswandler und sehr niedrige FOM QOSS für Hochfrequenz-SMPS optimiert.

N-Kanal

Hervorragende thermische Beständigkeit

Bleifreie Leiterbeschichtung;RoHS-konform

Halogenfrei gemäß IEC61249-2-22

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