Infineon BSZ Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 40 V / 212 A 81 W, 8-Pin SuperSO8 5 x 6
- RS Best.-Nr.:
- 244-1568
- Herst. Teile-Nr.:
- BSZ065N06LS5ATMA1
- Marke:
- Infineon
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Mengenpreis-Optionen anzeigenZwischensumme (1 Packung mit 5 Stück)*
CHF.8.735
Auf Lager
- Zusätzlich 1'570 Einheit(en) mit Versand ab 31. August 2026
- Zusätzlich 5'000 Einheit(en) mit Versand ab 29. Juli 2027
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | CHF 1.747 | CHF 8.75 |
| 50 - 120 | CHF 1.525 | CHF 7.63 |
| 125 - 245 | CHF 1.424 | CHF 7.10 |
| 250 - 495 | CHF 1.333 | CHF 6.67 |
| 500 + | CHF 1.222 | CHF 6.12 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 244-1568
- Herst. Teile-Nr.:
- BSZ065N06LS5ATMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 212A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 40V | |
| Gehäusegröße | SuperSO8 5 x 6 | |
| Serie | BSZ | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.7mΩ | |
| Channel-Modus | N | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 81W | |
| Durchlassspannung Vf | 1V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 80nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 212A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 40V | ||
Gehäusegröße SuperSO8 5 x 6 | ||
Serie BSZ | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.7mΩ | ||
Channel-Modus N | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 81W | ||
Durchlassspannung Vf 1V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 80nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der MOSFET von Infineon ist für Hochleistungs-SMPS optimiert, für eine Temperatur von 175 °C ausgelegt, zu 100 % Avalanche geprüft und besitzt hervorragende Wärmebeständigkeit.
N-Kanal
Hervorragende thermische Beständigkeit
Bleifreie Leiterbeschichtung;RoHS-konform
Halogenfrei nach IEC61249-2-21
Verwandte Links
- Infineon BSZ Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 40 V / 212 A 81 W, 8-Pin SuperSO8 5 x 6
- Infineon BSZ Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET & Diode N 40 V / 212 A 81 W, 8-Pin SuperSO8 5 x 6
- Infineon BSZ Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 40 V / 212 A 81 W, 8-Pin PQFN
- Infineon BSZ Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 40 V / 212 A 81 W, 8-Pin TSDSON-8 FL
- Infineon BSZ Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET P 40 V / 212 A 81 W, 8-Pin PQFN
- Infineon BSC0 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 40 V / 381 A 81 W, 8-Pin SuperSO8 5 x 6
- Infineon BSC Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 40 V / 381 A 81 W, 8-Pin SuperSO8 5 x 6
- Infineon BSC0 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 30 V / 381 A 81 W, 8-Pin SuperSO8 5 x 6