DiodesZetex Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 12 V / 10.7 A 1.73 W
- RS Best.-Nr.:
- 244-1928
- Herst. Teile-Nr.:
- DMT10H4M9LPSW-13
- Marke:
- DiodesZetex
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Packung mit 5 Stück)*
CHF.11.605
Auf Lager
- Zusätzlich 2’500 Einheit(en) mit Versand ab 19. Januar 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | CHF.2.321 | CHF.11.61 |
| 50 - 95 | CHF.1.974 | CHF.9.89 |
| 100 - 245 | CHF.1.932 | CHF.9.67 |
| 250 - 995 | CHF.1.68 | CHF.8.39 |
| 1000 + | CHF.1.596 | CHF.7.98 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 244-1928
- Herst. Teile-Nr.:
- DMT10H4M9LPSW-13
- Marke:
- DiodesZetex
Technische Daten
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | DiodesZetex | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 10.7A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 12V | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 41mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 1.73W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 8 V | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke DiodesZetex | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 10.7A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 12V | ||
Montageart Oberfläche | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 41mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 1.73W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 8 V | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Das DiodesZetex-MOSFET-Gehäuse ist eine Spule.
Montageart ist Oberflächenmontage
Verwandte Links
- DiodesZetex Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 12 V / 10.7 A 1.73 W
- DiodesZetex Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 12 V / 10.7 A 1.73 W DMT10H4M9SPSW-13
- DiodesZetex Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 12 V / 10.7 A 1.73 W DMTH47M2SK3-13 TO-252
- DiodesZetex Typ P-Kanal MOSFET Erweiterung 12 V / 10.7 A 1.73 W DMPH33M8SPSW-13 PowerDI5060-8
- DiodesZetex Typ P-Kanal MOSFET Erweiterung 12 V / 10.7 A 1.73 W DMP3011SPSW-13 PowerDI5060-8
- DiodesZetex Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 12 V / 10.7 A 1.73 W TO-252
- DiodesZetex Typ N-Kanal MOSFET Erweiterung 12 V / 10.7 A 1.73 W, 3-Pin DMT15H053SK3-13 TO-252
- DiodesZetex Typ N-Kanal MOSFET Erweiterung 12 V / 10.7 A 1.73 W, 8-Pin DMTH10H032LFVW-13 PowerDI3333-8