Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 75 V / 12 A 81 W, 3-Pin TO-252
- RS Best.-Nr.:
- 244-2257
- Herst. Teile-Nr.:
- AUIRFR024NTRL
- Marke:
- Infineon
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Zwischensumme (1 Rolle mit 3000 Stück)*
CHF.2’679.00
Vorübergehend ausverkauft
- 3’000 Einheit(en) mit Versand ab 21. Mai 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Rolle* |
|---|---|---|
| 3000 + | CHF.0.893 | CHF.2’671.20 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 244-2257
- Herst. Teile-Nr.:
- AUIRFR024NTRL
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 12A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 75V | |
| Gehäusegröße | TO-252 | |
| Serie | HEXFET | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 3mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 81W | |
| Durchlassspannung Vf | 1.3V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 80nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 12A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 75V | ||
Gehäusegröße TO-252 | ||
Serie HEXFET | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 3mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 81W | ||
Durchlassspannung Vf 1.3V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 80nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Der AUIRFR024NTRL von Infineon wurde speziell für Automotive-Anwendungen entwickelt. Dieses zellulare Design von HEXFET® Power MOSFETs nutzt die neuesten Verarbeitungstechniken, um einen niedrigen On-Widerstand pro Siliziumfläche zu erreichen.
Fortschrittliche Planartechnologie
Dynamische dv/dt-Bewertung mit niedrigem Einschaltwiderstand
Betriebstemperatur 175 °C
Schnelles Schalten
Vollständige Avalanche-Bewertung
Wiederholte Avalanche bis zu Tjmax erlaubt
Bleifrei, RoHS-konform
Automotive-qualifiziert
Verwandte Links
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 75 V / 12 A 81 W, 3-Pin AUIRFR024NTRL TO-252
- Infineon HEXFET Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 75 V / 230 A 81 W, 3-Pin TO-220
- Infineon HEXFET Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 75 V / 230 A 81 W, 3-Pin AUIRF6215 TO-220
- Infineon IPD Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 75 V / 80 A 81 W, 3-Pin TO-252
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 75 V / 45 A 110 W, 3-Pin TO-252
- Infineon IPD Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 75 V / 80 A 81 W, 3-Pin IPD90N03S4L03ATMA1 TO-252
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 75 V / 45 A 110 W, 3-Pin IRFR2607ZTRPBF TO-252
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal MOSFET 30 V / 86 A 75 W TO-252