Infineon AUIRFS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 100 V / 17 A 81 W, 3-Pin TO-252
- RS Best.-Nr.:
- 244-2883
- Herst. Teile-Nr.:
- AUIRLR3410TRL
- Marke:
- Infineon
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
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Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | CHF.1.722 | CHF.3.46 |
| 20 - 48 | CHF.1.439 | CHF.2.88 |
| 50 - 98 | CHF.1.323 | CHF.2.66 |
| 100 - 198 | CHF.1.239 | CHF.2.48 |
| 200 + | CHF.1.155 | CHF.2.31 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 244-2883
- Herst. Teile-Nr.:
- AUIRLR3410TRL
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 17A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 100V | |
| Gehäusegröße | TO-252 | |
| Serie | AUIRFS | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 3mΩ | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 81W | |
| Durchlassspannung Vf | 1.3V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 80nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 17A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 100V | ||
Gehäusegröße TO-252 | ||
Serie AUIRFS | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 3mΩ | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 81W | ||
Durchlassspannung Vf 1.3V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 80nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Das Infineon AUIRLR3410TRL wurde speziell für Kfz-Anwendungen entwickelt. Dieses Streifen Planar-Design von HEXFET ® Leistungs-MOSFETs nutzt die neuesten Verarbeitungstechniken, um einen niedrigen Widerstand im eingeschalteten Zustand pro Siliziumfläche zu erreichen. Dieser Vorteil kombiniert mit der schnellen Schaltgeschwindigkeit und dem robusten Gerätedesign, für das HEXFET Leistungs-MOSFETs bekannt sind, bietet dem Entwickler ein äußerst effizientes und zuverlässiges Gerät für den Einsatz in der Automobilindustrie und einer Vielzahl anderer Anwendungen.
Fortschrittliche Planartechnologie
Geringer Widerstand im eingeschalteten Zustand
Logikebenen-Gate-Antrieb
Dynamische dV/dT-Nennleistung
Betriebstemperatur von 175 °C
Fast Switching
Voll-Avalanche-Bewertung
Wiederholte Lawine bis Tjmax erlaubt
Bleifrei, RoHS-konform
Kfz-zugelassen *
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