Infineon AUIRFS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 100 V / 17 A 81 W, 3-Pin TO-252
- RS Best.-Nr.:
- 244-2883
- Herst. Teile-Nr.:
- AUIRLR3410TRL
- Marke:
- Infineon
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
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Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | CHF.1.656 | CHF.3.32 |
| 20 - 48 | CHF.1.384 | CHF.2.77 |
| 50 - 98 | CHF.1.273 | CHF.2.56 |
| 100 - 198 | CHF.1.192 | CHF.2.38 |
| 200 + | CHF.1.111 | CHF.2.22 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 244-2883
- Herst. Teile-Nr.:
- AUIRLR3410TRL
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 17A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 100V | |
| Serie | AUIRFS | |
| Gehäusegröße | TO-252 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 3mΩ | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 80nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 81W | |
| Durchlassspannung Vf | 1.3V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 17A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 100V | ||
Serie AUIRFS | ||
Gehäusegröße TO-252 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 3mΩ | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 80nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 81W | ||
Durchlassspannung Vf 1.3V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Das Infineon AUIRLR3410TRL wurde speziell für Kfz-Anwendungen entwickelt. Dieses Streifen Planar-Design von HEXFET ® Leistungs-MOSFETs nutzt die neuesten Verarbeitungstechniken, um einen niedrigen Widerstand im eingeschalteten Zustand pro Siliziumfläche zu erreichen. Dieser Vorteil kombiniert mit der schnellen Schaltgeschwindigkeit und dem robusten Gerätedesign, für das HEXFET Leistungs-MOSFETs bekannt sind, bietet dem Entwickler ein äußerst effizientes und zuverlässiges Gerät für den Einsatz in der Automobilindustrie und einer Vielzahl anderer Anwendungen.
Fortschrittliche Planartechnologie
Geringer Widerstand im eingeschalteten Zustand
Logikebenen-Gate-Antrieb
Dynamische dV/dT-Nennleistung
Betriebstemperatur von 175 °C
Fast Switching
Voll-Avalanche-Bewertung
Wiederholte Lawine bis Tjmax erlaubt
Bleifrei, RoHS-konform
Kfz-zugelassen *
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