Infineon IPD Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET P 75 V / 180 A 81 W, 3-Pin TO-252

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RS Best.-Nr.:
244-8546P
Herst. Teile-Nr.:
IPD380P06NMATMA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ P

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

180A

Drain-Source-Spannung Vds max.

75V

Gehäusegröße

TO-252

Serie

IPD

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

3mΩ

Channel-Modus

P

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Durchlassspannung Vf

1.3V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

80nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

81W

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Automobilstandard

AEC-Q101

Der Infineon MOSFET OptiMOSTM Leistungstransistor verfügt über eine bleifreie Beschichtung, RoHS-konform und ist halogenfrei gemäß IEC61249-2-21.

P-Kanal

Sehr niedriger Einschaltwiderstand RDS(on)

100%ig auf Stoßentladung geprüft

Normaler Pegel

Enhancement-Modus