Littelfuse Typ N-Kanal, Oberfläche SiC-Leistungsmodul Erweiterung 12 V / 36 A 446 W, 3-Pin TO-268
- RS Best.-Nr.:
- 245-7012
- Herst. Teile-Nr.:
- IXFT60N60X3HV
- Marke:
- Littelfuse
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|---|---|
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| 10 - 29 | CHF.8.44 |
| 30 - 119 | CHF.8.05 |
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- RS Best.-Nr.:
- 245-7012
- Herst. Teile-Nr.:
- IXFT60N60X3HV
- Marke:
- Littelfuse
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Littelfuse | |
| Produkt Typ | SiC-Leistungsmodul | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 36A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 12V | |
| Gehäusegröße | TO-268 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 90mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 446W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 8 V | |
| Durchlassspannung Vf | 1.4V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Littelfuse | ||
Produkt Typ SiC-Leistungsmodul | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 36A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 12V | ||
Gehäusegröße TO-268 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 90mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 446W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 8 V | ||
Durchlassspannung Vf 1.4V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
Dieses Littelfuse Produkt ist ein 600-V-Ultra-Junction-MOSFET der X3-Klasse, erhältlich in einem Nennstrom von 60 A und TO 247-Gehäuse. Diese Leistungs-MOSFETs verfügen über einen deutlich reduzierten Kanalwiderstand RDS ein und Gate-Ladung Qg. Sie verfügen über die niedrigsten Werte für RDS auf Qg und RDS auf . Diese Vorteile ermöglichen es Entwicklern, eine höhere Effizienz mit vereinfachter thermischer Bauweise zu erreichen. Diese Leistungs-MOSFETs der HiPerFET-Serie verfügen über Gehäusedioden, die eine niedrige Rückgewinnungsladung und eine kurze Rückgewinnungszeit bieten.
Geringe statische Verluste
Gut geeignet für Hochfrequenzanwendungen
Vereinfachtes thermisches Design
Hohe Robustheit gegen Überspannung
Niedriger Gate-Ansteuerungsleistungsbedarf
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