DiodesZetex Typ N, Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET 40 V Erweiterung 2.14 W, 8-Pin SOIC

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RS Best.-Nr.:
246-6772
Herst. Teile-Nr.:
DMC4040SSDQ-13
Marke:
DiodesZetex
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Marke

DiodesZetex

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N, Typ P

Drain-Source-Spannung Vds max.

40V

Gehäusegröße

SOIC

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.045Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

±20 V

Maximale Verlustleistung Pd

2.14W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

37.6nC

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Automobilstandard

Nein

Der DiodesZetex stellt einen komplementären Paar-Verbesserungs-MOSFET her, der sicherstellt, dass RDS(on) von N- und P-Kanal-FETs aufeinander abgestimmt werden, um Verluste in beiden Armen der Brücke e zu minimieren. Der DMC4040SSDQ ist für den Einsatz in 3-phasigen bürstenlosen DC-Motorstromkreisen (BLDC) und CCFL-Hinterleuchtung optimiert. Es handelt sich um ein umweltfreundliches Gerät, das vollständig blei-, halogen- und antimonfrei ist. Dieser MOSFET wird in einem SO-8-Gehäuse geliefert. Er bietet schnelles Schalten und eine niedrige Eingangskapazität. Er hat einen Betriebstemperaturbereich von –55 °C bis +150 °C.

Die maximale Drain-Quellenspannung beträgt 40 V und die maximale Gate-Quellenspannung beträgt ±20 V. Ihr niedriger RDS(ON) hilft bei der Minimierung von Leistungsverlusten. Ihr niedriger Qg hilft bei der Minimierung von Schaltverlusten

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