DiodesZetex Typ N-Kanal MOSFET Erweiterung 30 V / 100 A 1.73 W, 8-Pin PowerDI3333-8

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

Alle MOSFET anzeigen
Derzeit nicht erhältlich
Wir wissen nicht, ob wir diesen Artikel noch einmal auf Lager haben werden. RS beabsichtigt, ihn bald aus dem Sortiment zu nehmen.
RS Best.-Nr.:
246-6870
Herst. Teile-Nr.:
DMT32M4LFG-7
Marke:
DiodesZetex
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

DiodesZetex

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

100A

Drain-Source-Spannung Vds max.

30V

Gehäusegröße

PowerDI3333-8

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.028mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Durchlassspannung Vf

1.2V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

1.73W

Gate-Source-spannung max Vgs

8 V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

AEC-Q101

Der DiodesZetex stellt einen N-Kanal-Verbesserungsmodus-MOSFET her, der den Widerstand im eingeschalteten Zustand (RDS(ON)) minimiert und gleichzeitig eine überlegene Schaltleistung aufrechterhält, womit er ideal für hocheffiziente Stromüberwachungsanwendungen ist. Es handelt sich um ein umweltfreundliches Gerät, das vollständig blei-, halogen- und antimonfrei ist. Dieser MOSFET wird in einem powerDI3333-8-Gehäuse geliefert. Er bietet schnelles Schalten und einen hohen Wirkungsgrad. Seine zu 100 % ungeklemmte induktive Schaltung sorgt für eine zuverlässigere und robustere Endanwendung. Er verfügt über ein ausgezeichnetes Qgd xRDS(ON)-Produkt (FOM) und fortschrittliche Technologie für DC/DC-Umwandlung.

Die maximale Ableitungs-Quellenspannung beträgt 30 V und die maximale Gate-Quellenspannung beträgt ±20 V. Es bietet einen kleinen Formfaktor und ein effizientes Gehäuse ermöglicht Endprodukte mit höherer Dichte. Es nimmt nur 33 % der Platinenfläche ein, die von SO-8 eingenommen wird, um kleinere Endprodukte zu ermöglichen

Verwandte Links