DiodesZetex Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 150 A 1.73 W, 8-Pin PowerDI5060-8
- RS Best.-Nr.:
- 246-6874
- Herst. Teile-Nr.:
- DMT32M5LPS-13
- Marke:
- DiodesZetex
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
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- DMT32M5LPS-13
- Marke:
- DiodesZetex
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | DiodesZetex | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 150A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 30V | |
| Gehäusegröße | PowerDI5060-8 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.003mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 1.73W | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 8 V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Höhe | 1mm | |
| Länge | 6.15mm | |
| Breite | 5.15 mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke DiodesZetex | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 150A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 30V | ||
Gehäusegröße PowerDI5060-8 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.003mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 1.73W | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 8 V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Höhe 1mm | ||
Länge 6.15mm | ||
Breite 5.15 mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Der DiodesZetex stellt einen N-Kanal-Verbesserungs-MOSFET der neuen Generation her. Er wurde entwickelt, um den Widerstand im eingeschalteten Zustand (RDS(ON)) zu minimieren und dennoch eine überlegene Schaltleistung aufrechtzuerhalten, womit er ideal für hocheffiziente Stromüberwachungsanwendungen ist. Es handelt sich um ein umweltfreundliches Gerät, das vollständig blei-, halogen- und antimonfrei ist. Dieser MOSFET wird in einem powerDI5060-8-Gehäuse geliefert. Er bietet schnelles Schalten und einen hohen Wirkungsgrad. Seine zu 100 % ungeklemmte induktive Schaltung sorgt für eine zuverlässigere und robustere Endanwendung. Die Verpackungsgröße von weniger als 1,1 mm macht sie ideal für dünne Anwendungen.
Die maximale Ablass-Quellenspannung beträgt 30 V und die maximale Gate-Quellenspannung beträgt ±20 V. Wärmeeffizientes Gehäuse, ideal für kühler laufende Anwendungen. Bietet eine niedrige Eingangskapazität
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