DiodesZetex Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 9 A 1.73 W, 8-Pin PowerDI5060-8
- RS Best.-Nr.:
- 246-6879
- Herst. Teile-Nr.:
- DMT36M1LPS-13
- Marke:
- DiodesZetex
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
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|---|---|---|
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- RS Best.-Nr.:
- 246-6879
- Herst. Teile-Nr.:
- DMT36M1LPS-13
- Marke:
- DiodesZetex
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | DiodesZetex | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ P | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 9A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 30V | |
| Gehäusegröße | PowerDI5060-8 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.025Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 1.73W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 8 V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Höhe | 1mm | |
| Länge | 6.15mm | |
| Breite | 5.15 mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke DiodesZetex | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ P | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 9A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 30V | ||
Gehäusegröße PowerDI5060-8 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.025Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 1.73W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 8 V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Höhe 1mm | ||
Länge 6.15mm | ||
Breite 5.15 mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Der DiodesZetex stellt einen N-Kanal-Verbesserungsmodus-MOSFET her, der den Widerstand im eingeschalteten Zustand (RDS(ON)) minimiert und gleichzeitig eine überlegene Schaltleistung aufrechterhält, womit er ideal für hocheffiziente Stromüberwachungsanwendungen ist. Es handelt sich um ein umweltfreundliches Gerät, das vollständig blei-, halogen- und antimonfrei ist. Dieser MOSFET wird in einem powerDI5060-8-Gehäuse geliefert. Er bietet schnelles Schalten und einen hohen Wirkungsgrad. Seine zu 100 % ungeklemmte induktive Schaltung sorgt für eine zuverlässigere und robustere Endanwendung. Er verfügt über ein ausgezeichnetes Qgd xRDS(ON)-Produkt (FOM) und fortschrittliche Technologie für DC/DC-Umwandlung.
Die maximale Ableitungs-Quellenspannung beträgt 30 V. Die maximale Gate-Quellenspannung beträgt ±20 V. Es bietet einen kleinen Formfaktor und ein effizientes Gehäuse ermöglicht Endprodukte mit höherer Dichte. Es nimmt nur 33 % der Platinenfläche ein, die von SO-8 eingenommen wird, um kleinere Endprodukte zu ermöglichen
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