DiodesZetex Typ N-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 30 V Erweiterung 0.81 W, 6-Pin UDFN-2020
- RS Best.-Nr.:
- 246-7517
- Herst. Teile-Nr.:
- DMN3055LFDBQ-7
- Marke:
- DiodesZetex
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Packung mit 25 Stück)*
CHF.8.15
Auf Lager
- Zusätzlich 3’000 Einheit(en) mit Versand ab 19. Januar 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 25 - 25 | CHF.0.326 | CHF.8.06 |
| 50 - 75 | CHF.0.315 | CHF.7.90 |
| 100 - 225 | CHF.0.231 | CHF.5.86 |
| 250 - 975 | CHF.0.231 | CHF.5.69 |
| 1000 + | CHF.0.221 | CHF.5.57 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 246-7517
- Herst. Teile-Nr.:
- DMN3055LFDBQ-7
- Marke:
- DiodesZetex
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | DiodesZetex | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 30V | |
| Gehäusegröße | UDFN-2020 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 6 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.075Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 0.81W | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 12 V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 11.2nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 2 | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke DiodesZetex | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 30V | ||
Gehäusegröße UDFN-2020 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 6 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.075Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 0.81W | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 12 V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 11.2nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 2 | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der DiodesZetex stellt einen N-Kanal-Verbesserungsmodus-MOSFET her, der die strengen Anforderungen von Kfz-Anwendungen erfüllt. Es handelt sich um ein umweltfreundliches Gerät, das vollständig blei-, halogen- und antimonfrei ist. Dieser MOSFET wird in einem U-DFN2020-6-Gehäuse geliefert. Er bietet schnelles Schalten und einen hohen Wirkungsgrad.
Die maximale Ablass-Quellenspannung beträgt 30 V und die maximale Gate-Quellenspannung beträgt ±12 V. Sie bietet eine niedrige Eingangs-/Ausgangsleckspannung. Sie bietet eine niedrige Eingangskapazität
Verwandte Links
- DiodesZetex Typ N-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 30 V Erweiterung 0.81 W, 6-Pin UDFN-2020
- DiodesZetex Typ N-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 100 V Erweiterung 0.7 W, 6-Pin UDFN-2020 DMN10H6D2LFDB-7
- DiodesZetex Typ N-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 20 V Erweiterung 0.82 W, 6-Pin UDFN-2020 DMN2053UFDB-7
- DiodesZetex Typ P-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 20 V Erweiterung 0.82 W, 6-Pin UDFN-2020 DMP2110UFDB-7
- DiodesZetex Typ N-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 20 V Erweiterung 0.82 W, 6-Pin UDFN-2020
- DiodesZetex Typ P-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 20 V Erweiterung 0.82 W, 6-Pin UDFN-2020
- DiodesZetex Typ N-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 100 V Erweiterung 0.7 W, 6-Pin UDFN-2020
- DiodesZetex Doppelt Typ N-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 30 V Erweiterung 0.86 W, 6-Pin UDFN-2020 DMT3020UFDB-7