DiodesZetex Typ P-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 20 V Erweiterung 0.82 W, 6-Pin UDFN-2020
- RS Best.-Nr.:
- 246-7526
- Herst. Teile-Nr.:
- DMP2110UFDB-7
- Marke:
- DiodesZetex
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Packung mit 25 Stück)*
CHF.6.30
Auf Lager
- Zusätzlich 2’950 Einheit(en) mit Versand ab 19. Januar 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 25 - 25 | CHF.0.252 | CHF.6.20 |
| 50 - 75 | CHF.0.242 | CHF.6.09 |
| 100 - 225 | CHF.0.179 | CHF.4.49 |
| 250 - 975 | CHF.0.179 | CHF.4.39 |
| 1000 + | CHF.0.168 | CHF.4.28 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 246-7526
- Herst. Teile-Nr.:
- DMP2110UFDB-7
- Marke:
- DiodesZetex
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | DiodesZetex | |
| Kabelkanaltyp | Typ P | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 20V | |
| Gehäusegröße | UDFN-2020 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 6 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.168Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Durchlassspannung Vf | -1V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 12.7nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 0.82W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 12 V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 2 | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke DiodesZetex | ||
Kabelkanaltyp Typ P | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 20V | ||
Gehäusegröße UDFN-2020 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 6 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.168Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Durchlassspannung Vf -1V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 12.7nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 0.82W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 12 V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 2 | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der DiodesZetex ist ein zweifacher P-Kanal-Verbesserungsmodus-MOSFET, der den Widerstand im eingeschalteten Zustand (RDS(ON)) minimiert und gleichzeitig eine überlegene Schaltleistung aufrechterhält, womit er ideal für hocheffiziente Leistungsmanagementanwendungen ist. Es handelt sich um ein umweltfreundliches Gerät, das vollständig blei-, halogen- und antimonfrei ist. Dieser MOSFET wird in einem U-DFN2020-6-Gehäuse und einem 0,6-mm-Profil geliefert, was ihn ideal für flache Anwendungen macht. Er bietet schnelles Schalten und einen hohen Wirkungsgrad. Seine zu 100 % ungeklemmte induktive Schaltung sorgt für eine zuverlässigere und robustere Endanwendung.
Die maximale Ableitungs-Quellenspannung beträgt 20 V. Die maximale Gate-Quellenspannung beträgt ±12 V. Sie hat eine Leiterplattenabmessung von 4 mm^2. Sie bietet eine niedrige Gate-Schwellenspannung. Sie bietet ein ESD-geschütztes Gate
Verwandte Links
- DiodesZetex Typ P-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 20 V Erweiterung 0.82 W, 6-Pin UDFN-2020
- DiodesZetex Typ N-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 20 V Erweiterung 0.82 W, 6-Pin UDFN-2020 DMN2053UFDB-7
- DiodesZetex Typ N-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 20 V Erweiterung 0.82 W, 6-Pin UDFN-2020
- DiodesZetex Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 12 V / 10.7 A 1.73 W, 6-Pin DMP2016UFDF-7 UDFN-2020
- DiodesZetex Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 12 V / 10.7 A 1.73 W, 6-Pin UDFN-2020
- DiodesZetex Doppelt DMP Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET 20 V Erweiterung / 3.1 A 1.29 W, 6-Pin UDFN-2020 DMP2045UFDB-7
- DiodesZetex Typ N, Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET 20 V Erweiterung / 4.6 A 1.14 W, 6-Pin UDFN-2020 DMC2053UFDBQ-7
- DiodesZetex Typ P, Typ N-Kanal MOSFET 30 V 0.8 W UDFN-2020-6 DMC3032LFDB-7
