DiodesZetex Typ P-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 20 V Erweiterung 0.82 W, 6-Pin UDFN-2020

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Herst. Teile-Nr.:
DMP2110UFDB-7
Marke:
DiodesZetex
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Marke

DiodesZetex

Kabelkanaltyp

Typ P

Produkt Typ

MOSFET

Drain-Source-Spannung Vds max.

20V

Gehäusegröße

UDFN-2020

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

6

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.168Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Durchlassspannung Vf

-1V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

12.7nC

Maximale Verlustleistung Pd

0.82W

Gate-Source-spannung max Vgs

12 V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Anzahl der Elemente pro Chip

2

Automobilstandard

Nein

Der DiodesZetex ist ein zweifacher P-Kanal-Verbesserungsmodus-MOSFET, der den Widerstand im eingeschalteten Zustand (RDS(ON)) minimiert und gleichzeitig eine überlegene Schaltleistung aufrechterhält, womit er ideal für hocheffiziente Leistungsmanagementanwendungen ist. Es handelt sich um ein umweltfreundliches Gerät, das vollständig blei-, halogen- und antimonfrei ist. Dieser MOSFET wird in einem U-DFN2020-6-Gehäuse und einem 0,6-mm-Profil geliefert, was ihn ideal für flache Anwendungen macht. Er bietet schnelles Schalten und einen hohen Wirkungsgrad. Seine zu 100 % ungeklemmte induktive Schaltung sorgt für eine zuverlässigere und robustere Endanwendung.

Die maximale Ableitungs-Quellenspannung beträgt 20 V. Die maximale Gate-Quellenspannung beträgt ±12 V. Sie hat eine Leiterplattenabmessung von 4 mm^2. Sie bietet eine niedrige Gate-Schwellenspannung. Sie bietet ein ESD-geschütztes Gate

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