DiodesZetex Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 79 A 1.73 W, 3-Pin TO-252
- RS Best.-Nr.:
- 246-7536
- Herst. Teile-Nr.:
- DMPH4011SK3-13
- Marke:
- DiodesZetex
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| 5 - 45 | CHF.0.735 | CHF.3.68 |
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| 100 - 245 | CHF.0.536 | CHF.2.67 |
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- RS Best.-Nr.:
- 246-7536
- Herst. Teile-Nr.:
- DMPH4011SK3-13
- Marke:
- DiodesZetex
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | DiodesZetex | |
| Kabelkanaltyp | Typ P | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 79A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 40V | |
| Gehäusegröße | TO-252 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 41mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 8 V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 1.73W | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Breite | 6.1 mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 6.58mm | |
| Höhe | 2.29mm | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke DiodesZetex | ||
Kabelkanaltyp Typ P | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 79A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 40V | ||
Gehäusegröße TO-252 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 41mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 8 V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 1.73W | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Breite 6.1 mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 6.58mm | ||
Höhe 2.29mm | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Der DiodesZetex stellt einen zweifachen N-Kanal-Verbesserungsmodus-MOSFET der neuen Generation her. Er wurde entwickelt, um den Widerstand im eingeschalteten Zustand (RDS(ON)) zu minimieren und dennoch eine überlegene Schaltleistung aufrechtzuerhalten, womit er ideal für hocheffiziente Stromüberwachungsanwendungen ist. Es handelt sich um ein umweltfreundliches Gerät, das vollständig blei-, halogen- und antimonfrei ist. Dieser MOSFET wird in einem TO252-Gehäuse geliefert. Er bietet schnelles Schalten und einen hohen Wirkungsgrad. Sie ist für +175 °C ausgelegt und ideal für Umgebungen mit hohen Umgebungstemperaturen geeignet. Seine zu 100 % ungeklemmte induktive Schaltung sorgt für eine zuverlässigere und robustere Endanwendung.
Die maximale Ablass-Quellenspannung beträgt 40 V und die maximale Gate-Quellenspannung beträgt ±20 V. Sie bietet einen niedrigen Widerstand im eingeschalteten Zustand und eine schnelle Schaltgeschwindigkeit
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