DiodesZetex Quad Typ P, Typ N-Kanal 4, Oberfläche MOSFET 100 V Erweiterung 10.4 W, 8-Pin SOT-223

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246-7626
Herst. Teile-Nr.:
ZXMHC10A07T8TA
Marke:
DiodesZetex
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Marke

DiodesZetex

Kabelkanaltyp

Typ P, Typ N

Produkt Typ

MOSFET

Drain-Source-Spannung Vds max.

100V

Gehäusegröße

SOT-223

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

1.45Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Durchlassspannung Vf

0.95V

Gate-Source-spannung max Vgs

±20 V

Maximale Verlustleistung Pd

10.4W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

2.9nC

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Transistor-Konfiguration

Quad

Normen/Zulassungen

RoHS

Anzahl der Elemente pro Chip

4

Automobilstandard

Nein

Der DiodesZetex ist eine neue Generation von komplementären MOSFET-H-Brücke, die über einen niedrigen Widerstand im eingeschalteten Zustand verfügt, der mit einem niedrigen Gate-Antrieb erreicht werden kann. Es handelt sich um ein umweltfreundliches Gerät, das vollständig blei-, halogen- und antimonfrei ist. Dieser MOSFET wird in einem SM-8-Gehäuse geliefert. Er bietet schnelles Schalten und eine niedrige Eingangskapazität. Er hat einen Betriebstemperaturbereich von –55 °C bis +150 °C.

Maximale Drain-Source-Spannung ist 100 V und maximale Gate-Source-Spannung ist ±20 V 2 N-Kanäle und 2 P-Kanäle in einem SOIC-Gehäuse Sie bietet einen niedrigen Ein-Widerstand

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