DiodesZetex Quad Typ P, Typ N-Kanal 4, Oberfläche MOSFET 100 V Erweiterung 10.4 W, 8-Pin SOT-223

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

Alle MOSFET anzeigen
Derzeit nicht erhältlich
Wir wissen nicht, ob wir diesen Artikel noch einmal auf Lager haben werden. RS beabsichtigt, ihn bald aus dem Sortiment zu nehmen.
Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
246-7626
Herst. Teile-Nr.:
ZXMHC10A07T8TA
Marke:
DiodesZetex
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

DiodesZetex

Kabelkanaltyp

Typ P, Typ N

Produkt Typ

MOSFET

Drain-Source-Spannung Vds max.

100V

Gehäusegröße

SOT-223

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

1.45Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Durchlassspannung Vf

0.95V

Gate-Source-spannung max Vgs

±20 V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

2.9nC

Maximale Verlustleistung Pd

10.4W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Transistor-Konfiguration

Quad

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Anzahl der Elemente pro Chip

4

Automobilstandard

Nein

Der DiodesZetex ist eine neue Generation von komplementären MOSFET-H-Brücke, die über einen niedrigen Widerstand im eingeschalteten Zustand verfügt, der mit einem niedrigen Gate-Antrieb erreicht werden kann. Es handelt sich um ein umweltfreundliches Gerät, das vollständig blei-, halogen- und antimonfrei ist. Dieser MOSFET wird in einem SM-8-Gehäuse geliefert. Er bietet schnelles Schalten und eine niedrige Eingangskapazität. Er hat einen Betriebstemperaturbereich von –55 °C bis +150 °C.

Maximale Drain-Source-Spannung ist 100 V und maximale Gate-Source-Spannung ist ±20 V 2 N-Kanäle und 2 P-Kanäle in einem SOIC-Gehäuse Sie bietet einen niedrigen Ein-Widerstand

Verwandte Links