DiodesZetex Quad Typ P, Typ N-Kanal 4, Oberfläche MOSFET 100 V Erweiterung 10.4 W, 8-Pin SOT-223 ZXMHC10A07T8TA
- RS Best.-Nr.:
- 246-7626P
- Herst. Teile-Nr.:
- ZXMHC10A07T8TA
- Marke:
- DiodesZetex
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
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Stück | Pro Stück |
|---|---|
| 50 - 95 | CHF.1.607 |
| 100 - 245 | CHF.1.376 |
| 250 - 495 | CHF.1.355 |
| 500 + | CHF.1.302 |
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- RS Best.-Nr.:
- 246-7626P
- Herst. Teile-Nr.:
- ZXMHC10A07T8TA
- Marke:
- DiodesZetex
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | DiodesZetex | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ P, Typ N | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 100V | |
| Gehäusegröße | SOT-223 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 1.45Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 10.4W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 2.9nC | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | ±20 V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 0.95V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Transistor-Konfiguration | Quad | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 4 | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke DiodesZetex | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ P, Typ N | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 100V | ||
Gehäusegröße SOT-223 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 1.45Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 10.4W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 2.9nC | ||
Gate-Source-spannung max Vgs ±20 V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 0.95V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Transistor-Konfiguration Quad | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 4 | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der DiodesZetex ist eine neue Generation von komplementären MOSFET-H-Brücke, die über einen niedrigen Widerstand im eingeschalteten Zustand verfügt, der mit einem niedrigen Gate-Antrieb erreicht werden kann. Es handelt sich um ein umweltfreundliches Gerät, das vollständig blei-, halogen- und antimonfrei ist. Dieser MOSFET wird in einem SM-8-Gehäuse geliefert. Er bietet schnelles Schalten und eine niedrige Eingangskapazität. Er hat einen Betriebstemperaturbereich von –55 °C bis +150 °C.
Maximale Drain-Source-Spannung ist 100 V und maximale Gate-Source-Spannung ist ±20 V 2 N-Kanäle und 2 P-Kanäle in einem SOIC-Gehäuse Sie bietet einen niedrigen Ein-Widerstand