STMicroelectronics STL N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 12 V / 55 A 188 W, 8-Pin PowerFLAT
- RS Best.-Nr.:
- 248-4901P
- Herst. Teile-Nr.:
- STL325N4LF8AG
- Marke:
- STMicroelectronics
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Mengenpreis-Optionen anzeigenZwischensumme 20 Stück (auf Gurtabschnitt geliefert)*
CHF.62.62
Auf Lager
- Zusätzlich 2'790 Einheit(en) mit Versand ab 21. September 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück |
|---|---|
| 20 - 98 | CHF 3.131 |
| 100 - 198 | CHF 3.06 |
| 200 + | CHF 2.858 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 248-4901P
- Herst. Teile-Nr.:
- STL325N4LF8AG
- Marke:
- STMicroelectronics
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 55A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 12V | |
| Gehäusegröße | PowerFLAT | |
| Serie | STL | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 45mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Durchlassspannung Vf | 1.5V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 188W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 41nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Höhe | 1mm | |
| Länge | 6mm | |
| Normen/Zulassungen | UL | |
| Breite | 4.9mm | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 55A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 12V | ||
Gehäusegröße PowerFLAT | ||
Serie STL | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 45mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Durchlassspannung Vf 1.5V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 188W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 41nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Höhe 1mm | ||
Länge 6mm | ||
Normen/Zulassungen UL | ||
Breite 4.9mm | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Das Produkt von STMicroelectronics ist ein N-Kanal-Leistungs-MOSFET, der die STripFET F8-Technologie mit einer verbesserten Trench-Gate-Struktur nutzt. Es sorgt für einen sehr niedrigen Widerstand im eingeschalteten Zustand bei gleichzeitiger Reduzierung der internen Kapazitäten und der Gate-Ladung für eine schnellere und effizientere Schaltung.
Für Schaltanwendungen
verwendet MSL1 Güte
AEC-Q101 qualifiziert
175 Grad C Betriebstemperatur
100 Prozent Lawinengeprüft Benetzbares
Flankengehäuse