onsemi NTH Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 1200 V / 58 A 117 W, 3-Pin TO-247

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RS Best.-Nr.:
248-5820
Herst. Teile-Nr.:
NTHL060N065SC1
Marke:
onsemi
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Marke

onsemi

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

58A

Drain-Source-Spannung Vds max.

1200V

Serie

NTH

Gehäusegröße

TO-247

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

22mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

22 V

Durchlassspannung Vf

1.2V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

74nC

Maximale Verlustleistung Pd

117W

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Automobilstandard

AEC-Q101

Siliziumkarbid (SiC) MOSFET - EliteSiC, 44 mohm, 650 V, M2, TO-247-3L


Der Siliziumkarbid-MOSFET (SiC) von ON Semiconductor ist ein N-Kanal-MOSFET mit einer Drain-Source-Spannung von 650 V und einer Verlustleistung von 176 W. Das TO247-3L-Gehäuse dieses Bauelements ist halidfrei und RoHS-konform (Ausnahme 7a, Pb-Free 2LI).

Extrem niedrige Gate-Ladung 74 nC

Niedrige Kapazität 133 pF

100 Prozent Avalanche-getestet

Temperatur 175 °C

RDS(on) 44 mohm

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