Infineon IMW Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 75 V / 52 A 81 W, 3-Pin TO-247
- RS Best.-Nr.:
- 248-6667
- Herst. Teile-Nr.:
- IMW120R014M1HXKSA1
- Marke:
- Infineon
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Stück)*
CHF.36.456
Auf Lager
- 65 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück |
|---|---|
| 1 - 1 | CHF.36.46 |
| 2 - 4 | CHF.34.64 |
| 5 - 9 | CHF.33.17 |
| 10 - 24 | CHF.31.71 |
| 25 + | CHF.30.26 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 248-6667
- Herst. Teile-Nr.:
- IMW120R014M1HXKSA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 52A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 75V | |
| Gehäusegröße | TO-247 | |
| Serie | IMW | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 3mΩ | |
| Channel-Modus | N | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 80nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 81W | |
| Durchlassspannung Vf | 1.3V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 52A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 75V | ||
Gehäusegröße TO-247 | ||
Serie IMW | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 3mΩ | ||
Channel-Modus N | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 80nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 81W | ||
Durchlassspannung Vf 1.3V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der Infineon CoolSiC 1200 V, 14 mΩ SiC MOSFET im TO247-3-Gehäuse basiert auf einem hochmodernen Trench-Halbleiterprozess, der Leistung und Zuverlässigkeit miteinander verbindet. Dazu gehören die niedrigsten Gate-Ladungs- und Bauelementekapazitätswerte, die bei 1200-V-Schaltern zu finden sind, keine Rückstromverluste der internen kommutierungssicheren Body-Diode, temperaturunabhängig niedrige Schaltverluste und eine schwellenfreie On-State-Charakteristik. Die CoolSiC-MOSFETs sind ideal für harte und resonante Schalttopologien wie Leistungsfaktorkorrekturschaltungen (PFC), bidirektionale Topologien und Gleichspannungswandler oder Wechselrichter.
VDSS - 1200 V bei T - 25 °C
IDCC - 127 A bei T - 25 °C
RDS(on) - 14 mohm bei VGS - 18 V, T - 25 °C
Sehr niedrige Schaltverluste
Kurzschlusswiderstandszeit 3 Mikrosekunden
Benchmark-Gate-Schwellenspannung, VGS(th) - 4.2 V
Robust gegen parasitäres Einschalten, 0 V Abschalt-Gate-Spannung kann angelegt werden
Robuste Body-Diode für harte Kommutierung
XT-Verbindungstechnologie für klassenbeste thermische Leistung
Verwandte Links
- Infineon IMW Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 75 V / 52 A 81 W, 3-Pin TO-247
- Infineon IMW Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 75 V / 52 A 81 W, 3-Pin IMW120R020M1HXKSA1 TO-247
- Infineon IMW Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 75 V / 52 A 81 W, 3-Pin IMW120R007M1HXKSA1 TO-247
- Infineon IMW Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 75 V / 52 A 81 W, 3-Pin IMW120R040M1HXKSA1 TO-247
- Infineon IMW Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 75 V / 52 A 81 W, 3-Pin IMW120R030M1HXKSA1 TO-247
- Infineon IMW Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 75 V / 52 A 81 W, 3-Pin IMW120R140M1HXKSA1 TO-247
- Infineon IMW Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET P 75 V / 52 A 81 W, 3-Pin TO-247
- Infineon IMW Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET P 75 V / 52 A 81 W, 3-Pin IMW120R090M1HXKSA1 TO-247